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外国人创作的布图设计首先在中国境内投入商业利用的，依照《集成电路布图设计保护条例》享有布图设计专有权。( )
参考答案
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考题
在我国，集成电路布图设计专有权的保护期为（）.A.10年，自布图设计创作完成之日起计算B.15年，自布图设计登记申请之日起计算C.15年，自布图设计首次投入商业利用之日起计算D.10年，自布图设计登记申请之日或在世界上任何地方首次投入商业利用之日起计算
考题
依据我国《集成电路布图设计保护条例》和《集成电路知识产权条约》的规定，下列表述中正确的是（）A.外国人在中国境内创作的布图设计，依照本条例享有布图设计专有权。B.外国人创作的布图设计首先在中国境内投入商业利用的，依照本条例享有布图设计专有权。C.外国人在同中国签订有关布图设计保护协议或者与中国共同参加有关布图设计保护国际条约的国家领土内首先投入商业利用的布图设计，依照本条例享有布图设计专有权。D.外国人在同中国签订有关布图设计保护协议或者与中国共同参加有关布图设计保护国际条约的国家境内创作的布图设计，依照本条例享有布图设计专有权。
考题
依据我国《集成电路布图设计保护条例》的规定，下列表述中不正确的表述是：（）A.外国人创作的布图设计首先在中国境内投入商业利用的，依照本条例享有布图设计专有权B.外国人在中国境内创作的布图设计，依照本条例享有布图设计专有权。C.外国人创作的布图设计，其创作者所属国同中国签订有关布图设计保护协议或者与中国共同参加有关布图设计保护国际条约的，依照本条例享有布图设计专有权。D.中国自然人、法人或者其他组织在境外创作的布图设计，可以依照本条例享有布图设计专有权。
考题
8、下列选项中不能获得我国集成电路布图设计权的有：（）A．布图设计不具有独创性B．由常规设计组成的布图设计，但其组合作为整体具有独创性C．布图设计自其在世界任何地方首次商业利用之日起3年后在中国申请D．外国人创作的布图设计首先在中国境内投入商业利用
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