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N沟道结型场效应管的夹断电压VP为（）。

  • A、正值
  • B、负值
  • C、零

参考答案

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考题 场效应管有结型和绝缘栅型两类,每一类中又分()两种。 A、N沟道和P沟道B、H沟道和P沟道C、N沟道和H沟道D、Y沟道和H沟道
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考题 运行以下程序后，输出结果为_____________。 Private Sub Command1_Click() a=1:b=2:c=3 Call test(a,b+3,(c)) Print "main:";a;b;c End Sub Private Function test(p,m,n) p=p+1:m=m+1:n=n+1 Print "sub:";p;m;n End Function：A. sub:2 6 4 main:1 2 3B. sub:2 6 4 main:2 2 3C. sub:2 6 4 main:2 6 4D. sub:2 6 4 main:1 6 4
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考题 CMOS反相器是由一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组成的。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 设程序中有如下数组定义和过程调用语句： Dim a(10)As Integer … Call D(a) 如下过程定义巾，正确的是（ ）。A.Private Sub p(a As Integer)B.Private Sub p(a（ ）As Integer)C.Private Sub p(a(10)As Integer)D.Private Sub p(a(n)As Integer)
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考题 结型场效应管的类型有()。 A.N沟道结型场效应管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.P沟道增强型MOS管E.N沟道耗尽型MOS管F.P沟道耗尽型MOS管
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考题 在窗体中添加一个命令按钮，编写如下程序： Private Sub Subl(p,m,n) p=p+1:m=m+1:n=n+1 Print"subl:";p;m;n End Sub Private Sub Command1_Click() al=1:b=2:c1=3 Call Subl(a,b1+3,c1) Print"Main:";a1;b1;c1 End Sub 程序运行后，输出结果为A．Sub：2 6 4 Main：2 6 4B．Sub：2 6 4 Main：2 6 4C．Sub：2 6 4 Main：1 2 3D．Sub：2 6 4 Main：2 2 3
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考题 设程序中有如下数组定义和过程调用语句：Dim a(10) as integer……Call p(a)如下过程定义中，正确的是A)Private Sub p(a as integer)B)Private Sub p(a() as integer)C)Private Sub p(a(10) as integer)D)Private Sub p(a(n) as integer)
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考题 在窗体中添加一个命令按钮，编写如下程序： Private Sub Test(p，m，n) p=p+1：m=m+1：n=n+1 Print "Sub: ";p；m；n End Sub Private Sub Command1.Click() a1=1：b=2：c1=3 Call Test((a，b1+3，(c1)) Print "Main："；a1；b1；c1 End Sub 程序运行后，输出结果为A．Sub： 2 6 4 Main： 2 6 4B．Sub： 2 6 4 Main： 2 6 4C．Sub： 2 6 4 Main： 1 2 3D．Sub： 2 6 4 Main： 2 2 3
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考题 当发生Form_Click事件时，下列程序的输出结果是( )。 Private m As Integer,n As Integer Private Sub Form_Click() Dim k As Integer，p As Integer k=6：p=60 Call sub1(k,p) Print m,n,m,k,p Call sub1(k,p) Print m,n,k,p End Sub Private Sub Form_Load() m=7 n=70 End Sub Public Sub sub1(x As Integer,ByVal y As Integer) Dim m As Integer n=n+5 m=n+x+y x=x+y y=x+y End SubA．7 75 66 60 7 80 126 60B．7 75 66 60 7 75 126 60C．7 75 66 60 7 80 66 60D．7 75 66 60 7 75 66 60
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考题 在窗体中添加一个命令按钮,编写如下程序:Private Sub Sub1(p,m,n)p=p+1:m=m+1:n=n+1Print "sub1:";p;m;nEnd SubPrivate Sub Command1_Click()a1=1:b=2:c1=3Call Sub1(a,b1+3,c1)Print"Main:";a1;b1;c1End Sub程序运行后,输出结果为A．Sub: 2 6 4 Main: 2 6 4B．Sub: 2 6 4 Main: 2 6 4C．Sub: 2 6 4 Main: 1 2 3D．Sub: 2 6 4 Main: 2 2 3
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考题 在窗体中添加一个命令按钮，编写如下程序： Private Sub Sub1(p，m，n) p=p+1：m=m+1：n=n+1 Print "sub1："；p；m；n End Sub Private Sub Command1_Click() a1=1：b=2：c1=3 Call Sub1(a，b1+3，c1) Print"Main："；a1；b1；c1 End Sub 程序运行后，输出结果为A．Sub： 2 6 4 Main： 2 6 4B．Sub： 2 6 4 Main： 2 6 4C．Sub： 2 6 4 Main： 1 2 3D．Sub： 2 6 4 Main： 2 2 3
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考题 结型场效应管可分为（）。A、MOS管和MNS管B、N沟道和P沟道C、增强型和耗尽型D、NPN型和PNP型
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考题 绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种
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考题 一个N沟道结型场效应管工作时，测得UDS=6V，ID=3mA，UGS=-1V，问此管工作在什么区域（）A、非饱合区B、饱合区C、击穿区D、高阻区
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考题 结型场效应管的类型有（）。A、N沟道结型场效应管B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
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考题 场效应管的类型有（）。A、结型场效应管B、绝缘栅型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
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考题 UGS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有（）。A、N沟道结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、P沟道结型管
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考题 （）具有不同的低频小信号电路模型。A、NPN型管和PNP型管B、增强型场效应管和耗尽型场效应管C、N沟道场效应管和P沟道场效应管D、晶体管和场效应管
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考题 衬底为N型硅片的MOS管就是N沟道MOS场效应管。
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考题 使结型场效应管ID=0的临界栅源电压称为（夹断）电压，N沟道JFET的UGS（off）（）0，P沟道JFET的UGS（off）（）0。
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考题 某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自源极流出，大小为8mA，则该管是（）A、P沟道耗尽型MOS管B、N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管D、N沟道增强型MOS管
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考题 N沟道结型场效应管中的载流子是（）A、自由电子B、空穴C、电子和空穴D、带电离子
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考题 P沟道耗尽型MOS管的夹断电压VP为（）。A、正值B、负值C、零
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考题 更具结构不同，场效应管分为（）A、N沟道和P沟道场效应管B、NPN和PNP型场效应C、MOS管和MNS管D、结构和绝缘栅场效应管
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考题 单选题酶促反应速度(v)达到最大反应速度(Vmax)的80%时，底物浓度［S］为A p1Ksubm/sub/pB p2Ksubm/sub/pC p3Ksubm/sub/pD p4Ksubm/sub/pE p5Ksubm/sub/p
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考题 单选题结型场效应管可分为（）。A MOS管和MNS管B N沟道和P沟道C 增强型和耗尽型D NPN型和PNP型
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