考题
使发射探头的晶片获得突发性能量的电路称为()
A、发射电路B、接收放大器C、衰减器D、同步发生器
考题
使发射探头的晶片获得突发性能量的电路称为（ ）。A.脉冲发生器B.接收放大器C.衰减器D.同步发生器
考题
探头中压电晶片的基频取决于()A.激励电脉冲的宽度
B.发射电路阻尼电阻的大小
C.晶片材料和厚度
D.晶片的机电耦合系数
考题
超声纵波直探头吸收块的作用是阻尼晶片的振动使脉冲变窄，限制从背面发射的声波，以防止出现杂波。
考题
联合双直探头有（）块压电晶片，在电路上和声路上（），晶片前装有（），此种探头有盲区（），有助于（）的检出
考题
探头中压电晶片的基频取决于（）A、激励电脉冲的宽度B、发射电路阻尼电阻的大小C、晶片材料和厚度D、晶片的机电耦合系数
考题
超声波探头中的匹配吸收块（），其作用是阻尼晶片的振动使脉冲便窄，限制从晶片背面发射的声波，以防止出现杂波。探头若不加阻尼块，始脉冲应会变（），盲区变（），分辩力（）
考题
直探头的压电晶片发射纵波，斜探头的压电晶片发射横波、表面波或板波。
考题
同步电路的同步脉冲控制是指（）A、发射电路在单位时间内重复发射脉冲次数B、扫描电路每秒钟内重复扫描次数C、探头晶片在单位时间内向工件重复辐射超声波次数D、以上全部都是
考题
探头中使用压电陶瓷晶片的优点是（）。A、激励电脉冲的宽度B、发射电路阻尼电阻的大小C、晶片的材料和厚度D、晶片的机电耦合系数
考题
接触法超声波探伤，探测距离较大时，为获得较为集中的能量，应选用（）直径晶片的探头。
考题
用单晶片探头探伤时，探头只能发射或接收超声波。
考题
发射电路是产生高频振荡脉冲，用于激励探头晶片产生超声脉冲。
考题
使发射探头晶片获得突发性能量的电路称为（）。A、脉冲发射器B、接收放大器C、衰减器D、同步发生器
考题
使发射探头的晶片获得突发性能量的电路称为（）。A、脉冲发生器B、接收放大器C、衰减器D、同步发生器
考题
发射电路可以产生高频振荡脉冲，用于激励探头晶片产生（）。A、直流电压B、超声脉冲C、交流电压D、重复脉冲
考题
使发射探头的晶片获得突发性能童的电路称为（）。A、脉冲发生器B、接收放大器C、衰减器D、同步发生器
考题
A型显示超声波探伤仪，产生高频电脉冲激发探头发射超声波的电路称为（）A、同步电路B、发射电路C、扫描电路D、接收电路
考题
单选题探头中压电晶片的基频取决于（）A
激励电脉冲的宽度B
发射电路阻尼电阻的大小C
晶片材料和厚度D
晶片的机电耦合系数
考题
填空题接触法超声波探伤，探测距离较大时，为获得较为集中的能量，应选用（）直径晶片的探头。
考题
单选题使发射探头的晶片获得突发性能童的电路称为（）。A
脉冲发生器B
接收放大器C
衰减器D
同步发生器
考题
单选题发射电路可以产生高频振荡脉冲，用于激励探头晶片产生（）。A
直流电压B
超声脉冲C
交流电压D
重复脉冲
考题
判断题发射电路是产生高频振荡脉冲，用于激励探头晶片产生超声脉冲。A
对B
错
考题
判断题直探头的压电晶片发射纵波，斜探头的压电晶片发射横波、表面波或板波。A
对B
错
考题
单选题使发射探头晶片获得突发性能量的电路称为（）。A
脉冲发射器B
接收放大器C
衰减器D
同步发生器
考题
判断题探伤仪中的发射电路亦可产生几百伏到上千伏的电脉冲去激励探头晶片振动。A
对B
错
考题
填空题超声波探头中的匹配吸收块（），其作用是阻尼晶片的振动使脉冲便窄，限制从晶片背面发射的声波，以防止出现杂波。探头若不加阻尼块，始脉冲应会变（），盲区变（），分辩力（）
