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判断题
波长长于本征吸收的光波长波限的入射辐射能使器件产生本征吸收,改变本征半导体的导电特性。
A

B


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考题 本征半导体参与导电通常有()种载流子。

考题 纯净的半导体是室温下几乎是不导电的,又称本征半导体。但如果给本征半导体掺入微量杂质、加热提高温度或在光照等物理作用下,半导体的导电能力将大大增强,从而变成导体,这就是半导体的导电特性。() 此题为判断题(对,错)。

考题 一般情况下,本征半导体导电是依靠本征激发作用的。() 此题为判断题(对,错)。

考题 通过光波照射激励原子中约束的电子跃迁至高能级时吸收的能量,这种吸收称为;()A、结构吸收B、非本征吸收C、红外吸收D、紫外吸收

考题 本征半导体的导电能力远不如金属的导电能力好

考题 为什么n型或p型半导体的本征半导体比本征半导体更易导电?

考题 对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体,在温度足够高、ni/ND-NA/时,半导体具有()半导体的导电特性。A、非本征B、本征

考题 一般情况下,本征半导体导电是依靠本征激发作用的。

考题 光纤的损耗包括本征损耗和非本征损耗,其中对本征损耗影响较大的是()。A、本征吸收和光纤微弯B、本征吸收和瑞利散射C、原子缺陷吸收和瑞利散射D、光纤弯曲和波导散射

考题 在本征半导体中掺入杂质的目的是()。A、提高半导体的导电能力B、降低半导体的导电能力C、制造出合乎要求的半导体材料,用来生产半导体器件D、产生PN结

考题 哪一个不是本征半导体具有的特性?()A、光敏性B、热敏性C、掺杂特性D、导电性

考题 何为本征半导体及本征吸收?

考题 荧光()A、引入助色团产生溶剂改变使吸收峰向长波方向移动B、芳香旋化合物的特征吸收带C、由分子中振动、转动能级跃迁所引起D、当化合物结构改变或受溶剂影响时使吸收峰向短波方向移动E、发射光波长大于入射光波长

考题 杂质半导体有哪些?与本征半导体相比导电性有什么不同?

考题 半导体中有()和()两种载流子。本征半导体的导电能力取决于(),杂质半导体的导电能力主要取决于()

考题 判断题本征光电导器件的长波限可以达到130um。A 对B 错

考题 单选题半导体()电子吸收光子能量跃迁入(),产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。A 价带,导带B 价带,禁带C 禁带,导带D 导带,价带

考题 判断题一般情况下,本征半导体导电是依靠本征激发作用的。A 对B 错

考题 单选题已知某种光电器件的本征吸收长波限为1.4um,则该材料的禁带宽度为()A 0.886JB 0.886eVC 886JD 886eV

考题 单选题对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体,在温度足够高、ni/ND-NA/时,半导体具有()半导体的导电特性。A 非本征B 本征

考题 判断题杂志吸收的长波限总要长于本征吸收的长波限。A 对B 错

考题 填空题本征半导体硅的禁带宽度是1.14eV,它能吸收的辐射的最大波长为()。(普朗克恒量h=6.63×10-34J·s,1eV=1.6×10-19J)

考题 多选题光电技术中应用的半导体对光的吸收主要是()A本征吸收B杂质吸收C激子吸收D自由载流子吸收E晶格吸收

考题 单选题本征半导体吸收光子能量使价带中的电子激发到导带,这一过程称为()A 本征吸收B 杂质吸收C 激子吸收D 晶格吸收

考题 判断题本征吸收一定在本征半导体中才会发生。A 对B 错

考题 单选题已知某种光电器件的本征吸收长波限为1.4μm,则该材料的禁带宽度为()。A 0.886eVB 1eVC 2eVD 1.3eV

考题 填空题本征半导体的导电能力很弱,热稳定性很()。