考题
在电路中电流的大小是( )A.与电压成正比，与电阻成正比B.与电压成反比，与电阻成正比C.与电压成正比，与电阻成反比D.与电压与反比，与电阻成正比
考题
在对称三相非正弦星接电路中，线电压与相电压有效值的关系是()。
(A)UL=√3Uh；
(B)UL>√3Uh；
(C)UL(D)UL=3Uh。
考题
132、在对称三相非正弦星接电路中，线电压与相电压有效值的关系是(C)。(A)UL=Uh；(B)UL>Uh；(C)UL
考题
在对称三相非正弦星接电路中，线电压与相电压有效值的关系是(C)。(A) UL= Uh； (B) UL> Uh； (C) UL
考题
霍尔电压与基片的厚度（）。A、成反比B、成正比C、无关D、成倍数增长
考题
用霍尔法测直流磁场的磁感应强度时，霍尔电压的大小：（）A、与霍尔材料的性质无关；B、与外加磁场的磁感应强度的大小成正比；C、与霍尔片上的工作电流的大小成反比；D、与霍尔片的厚度成正比
考题
霍尔电压UH的大小与控制电流I及磁感应强度B成正比。
考题
霍尔电压UH与控制电流I及磁感应强度B成反比。
考题
霍尔片式压力传感器的霍尔电势Eh的大小与半导体材料、霍尔片的几何尺寸、所通过的电压频率和磁场方向成正比。
考题
霍尔片式压力传感器产生的霍尔电势E，其大小与（）所通过的控制电路I和磁感应强度B成正比。A、半导体材料B、霍尔片的几何尺寸C、所加电压的频率D、磁场方向
考题
霍尔片式压力传感器的霍尔电势的大小与半导体材料、霍尔片的几何尺寸、所通过的电压频率和磁场方向成正比。
考题
在霍尔效应中，霍尔电压的大小：（）A、与励磁电流无关B、与霍尔片上的工作电流的大小成正比C、与外加磁场的磁感应强度的大小成反比D、与霍尔材料的性质无关
考题
用霍尔法测直流磁场的磁感应强度时，霍尔电压的大小：（）A、与霍尔材料的性质无关B、与外加磁场的磁感应强度的大小成正比C、与霍尔片上的工作电流Is的大小成反比D、与霍尔片的厚度d成正比
考题
霍尔电压UH与（）成正比。A、控制电流IB、霍尔元件的面积SC、磁感应强度BD、以上三者
考题
关于霍尔电势下列说法正确的是（）。A、霍尔电势正比于激励电流及磁感应强度B、霍尔电势的灵敏度与霍尔常数R成正比C、霍尔电势与霍尔元件的厚度d成反比D、以上说法都对
考题
用霍尔法测直流磁场的磁感应强度时，霍尔电压的大小（）A、与霍尔片的厚度d成正比B、与霍尔片上的工作电流Is的大小成正比C、与外加磁场的磁感应强度的大小成正比D、与霍尔材料的性质无关
考题
霍尔效应中，霍尔电势与（）A、激磁电流成反比B、工作电流成反比C、磁感应强度成正比D、试样厚度成正比
考题
霍尔电压的大小与电流和磁感应的乘积成正比，与（）成反比。
考题
当通过的电流为一定值时，霍尔电压与（）。A、磁感应强度成反比B、磁感应强度成正比C、与磁通成正比D、与磁通成反比
考题
在电流一定时，霍尔电压的大小与磁通密度（），且与磁通的变化率无关。这也就是说，在电流一定的情况下，只要改变磁通密度，就可以改变霍尔电压的大小，霍尔信号发生器就是基于此原理制成的。A、成反比B、成正比C、无关D、有关
考题
在电路中电流的大小是（）。A、与电压成正比，与电阻成正比B、与电压成反比，与电阻成正比C、与电压成正比，与电阻成反比D、与电压与反比，与电阻成正比
考题
在电流一定时，霍尔电压的大小与磁通密度成正比，与磁通的变化率关系（）。A、成反比B、成正比C、相等D、无关
考题
霍尔电势与控制电流成反比，与磁场强度成正比。
考题
判断题霍尔电压UH的大小与控制电流I及磁感应强度B成正比。A
对B
错
考题
单选题霍尔效应中，霍尔电势与（）A
霍尔常数成正比B
霍尔常数成反比C
霍尔元件的厚度成正比
考题
填空题霍尔传感器的霍尔电势UH为（）若改变（）或（）就能得到变化的霍尔电势。
