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霍尔片式压力传感器的霍尔电势的大小与半导体材料、霍尔片的几何尺寸、所通过的电压频率和磁场方向成正比。


参考答案

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考题 在霍尔式压力传感器中,不影响霍尔系数大小的参数是(  )。 A. 霍尔片的厚度 B. 霍尔元件材料的电阻率 C. 材料的载流子迁移率 D. 霍尔元件所处的环境温度

考题 用霍尔法测直流磁场的磁感应强度时,霍尔电压的大小:()A、与霍尔材料的性质无关;B、与外加磁场的磁感应强度的大小成正比;C、与霍尔片上的工作电流的大小成反比;D、与霍尔片的厚度成正比

考题 霍尔式压力传感器利用霍尔元件将压力所引起的弹性元件()转换为霍尔电势实现压力测量。A、变形B、弹力C、电势D、位移

考题 霍尔片式压力传感器是如何利用霍尔效应实现压力测量的?

考题 电气式压力变送器由压力传感器和转换器两部分组成,而压力传感器又可分为()。A、霍尔片式压力传感器和活塞式压力传感器B、霍尔片式压力传感器和电接点式压力传感器C、霍尔片式压力传感器、液压片式压力传感器和应变片式压力传感器D、霍尔片式压力传感器、应变片式压力传感器、压阻式压力传感器和电容式压力传感器

考题 霍尔片式压力传感器是利用霍尔元件将由压力所引起的弹性元件的()转换成霍尔电势,从而实现压力测量。A、变形B、弹力C、电势D、位移

考题 霍尔压力变送器的霍尔元件由半导体材料制成,因此它的性能参数如输入和输出电阻、霍尔常数等也随温度而变化,致使()变化,产生温度误差。A、输出电流B、输出电压C、霍尔电势D、霍尔电位

考题 霍尔片式压力传感器的霍尔电势Eh的大小与半导体材料、霍尔片的几何尺寸、所通过的电压频率和磁场方向成正比。

考题 霍尔片式压力传感器产生的霍尔电势E,其大小与()所通过的控制电路I和磁感应强度B成正比。A、半导体材料B、霍尔片的几何尺寸C、所加电压的频率D、磁场方向

考题 霍尔电势的大小正比于()和()。对霍尔元件可采用()驱动和()驱动。

考题 在霍尔效应中,霍尔电压的大小:()A、与励磁电流无关B、与霍尔片上的工作电流的大小成正比C、与外加磁场的磁感应强度的大小成反比D、与霍尔材料的性质无关

考题 用霍尔法测直流磁场的磁感应强度时,霍尔电压的大小:()A、与霍尔材料的性质无关B、与外加磁场的磁感应强度的大小成正比C、与霍尔片上的工作电流Is的大小成反比D、与霍尔片的厚度d成正比

考题 关于霍尔电势下列说法正确的是()。A、霍尔电势正比于激励电流及磁感应强度B、霍尔电势的灵敏度与霍尔常数R成正比C、霍尔电势与霍尔元件的厚度d成反比D、以上说法都对

考题 半导体应变片的工作原理是基于半导体材料的霍尔效应。

考题 什么叫霍尔效应、霍尔电势和霍尔元件?霍尔元件采用何种材料?由什么组成?霍尔元件能够测量哪些物理参数?霍尔元件的不等位电势的概念是什么?温度补偿的方法有哪几种?

考题 霍尔电压大小与霍尔元件的尺寸有关。

考题 金属材料的霍尔效应比半导体材料的霍尔效应强。

考题 什么是霍尔效应?霍尔电势的大小与方向和哪些因素有关?霍尔元件常采用什么材料?为什么?

考题 什么是霍尔效应?霍尔电势的大小与方向和哪些因素有关?影响霍尔电势的因素有哪些?

考题 霍尔元件不等位电势产生的主要原因不包括()A、霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位上B、半导体材料不均匀造成电阻率不均匀或几何尺寸不均匀C、周围环境温度变化D、激励电极接触不良造成激励电流不均匀分配

考题 什么是霍尔电势?霍尔电势与哪些因素有关?

考题 单选题在霍尔式压力传感器中,不影响霍尔系数大小的参数是(  )。[2007年真题]A 霍尔片的厚度B 霍尔元件材料的电阻率C 材料的载流子迁移率D 霍尔元件所处的环境温度

考题 单选题霍尔效应中,霍尔电势与()A 霍尔常数成正比B 霍尔常数成反比C 霍尔元件的厚度成正比

考题 填空题霍尔电势的大小正比于()和()。对霍尔元件可采用()驱动和()驱动。

考题 问答题什么是霍尔电势?霍尔电势与哪些因素有关?

考题 单选题下列关于霍尔效应描述中,正确的是()。A 霍尔系数的大小反映了霍尔效应的强弱,由材料的物理性质决定B 霍尔系数越大,霍尔电势越小C 霍尔元件的厚度越大,霍尔电势越大D 磁场的磁感应强度越大,霍尔电势越小

考题 填空题霍尔传感器的霍尔电势UH为()若改变()或()就能得到变化的霍尔电势。