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单选题
下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述中哪个是正确的（）
A
它与试件上的磁通密度有关
B
它与缺陷的高度有关
C
磁化方向与缺陷垂直时漏磁通最大
D
以上都对
参考答案
参考解析
解析：
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考题
下列关于漏磁通的叙述，正确的是（）A、内部缺陷处的漏磁通比同样大小的表面缺陷漏磁通大B、缺陷的漏磁通通常与试件上的磁场强度成反比C、表面缺陷的漏磁通密度，随离开表面的距离增大而急剧下降D、用有限线圈磁化长的工件，不需要进行分段磁化
考题
下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述（）是正确的A、磁化强度为一定时，缺陷高度小于1mm的形状相似的表面缺陷，其漏磁通与缺陷高度无关B、缺陷离试件表面越近，缺陷漏磁通越小C、在磁化状态、缺陷种类和大小为一定时，缺陷漏磁通密度受缺陷方向影响D、交流磁化时，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时要小E、当磁化强度、缺陷种类和大小为一定时，缺陷处的漏磁通密度受磁化方向的影响F、c，d和e都对
考题
下列关于缺陷形成漏磁通的叙述，正确的是（）A、缺陷离试件表面越近，形成的漏磁通越小B、在磁化状态、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受缺陷方向影响C、交流磁化时，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时的漏磁通要小D、在磁场强度、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受磁化方向影响；E、除A以外都对
考题
下列关于漏磁场的叙述中，正确的是（）A、缺陷方向与磁力线平行时，漏磁场最大B、漏磁场的大小与工件的磁化程度无关C、漏磁场的大小与缺陷的深度比有关D、工件表层下，缺陷所产生的漏磁场，随缺陷的埋藏深度增加而增大
考题
下列关于漏磁场的叙述中，正确的是（）A、缺陷方向与磁力线平行时，漏磁场最大B、漏磁场的大小与工件的磁化程度无关C、漏磁场的大小与缺陷的深度和宽度的比值有关D、工件表层下，缺陷所产生的漏磁场，随缺陷的埋藏深度增加而增大
考题
下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述（）是正确的。A、 在磁化状态、缺陷种类和大小为一定时，缺陷漏磁通密度受缺陷方向影响B、 交流磁化时，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时要小C、 当磁化强度、缺陷种类和大小为一定时，缺陷处的漏磁通密度受磁化方向的影响D、 以上都对
考题
下列有关漏磁通的叙述正确的是（）。A、内部缺陷处的漏磁通，比同样大小的表面缺陷为大B、缺陷的漏磁通通常同试件上的磁通密度成反比C、表面缺陷的漏磁通密度，随着离开表面距离的增加而急剧减弱D、用有限线圈磁化长的试件，不需进行分段磁化
考题
单选题下列关于漏磁场的叙述中，正确的是（）A
缺陷方向与磁力线平行时，漏磁场最大B
漏磁场的大小与工件的磁化程度无关C
漏磁场的大小与缺陷的深度比有关D
工件表层下，缺陷所产生的漏磁场，随缺陷的埋藏深度增加而增大
考题
单选题下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述（）是正确的A
磁化强度为一定时，缺陷高度小于1mm的形状相似的表面缺陷，其漏磁通与缺陷高度无关B
缺陷离试件表面越近，缺陷漏磁通越小C
在磁化状态、缺陷种类和大小为一定时，缺陷漏磁通密度受缺陷方向影响D
交流磁化时，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时要小E
当磁化强度、缺陷种类和大小为一定时，缺陷处的漏磁通密度受磁化方向的影响F
c，d和e都对
考题
单选题下列关于漏磁通的叙述，正确的是（）A
内部缺陷处的漏磁通比同样大小的表面缺陷漏磁通大B
缺陷的漏磁通通常与试件上的磁场强度成反比C
表面缺陷的漏磁通密度，随离开表面的距离增大而急剧下降D
用有限线圈磁化长的工件，不需要进行分段磁化
考题
单选题下列有关漏磁通的叙述，哪些是正确的（）A
内部缺陷处的漏磁通，比同样大小的表面缺陷为大B
缺陷的漏磁通通常同试件上的磁通密度成反比C
表面缺陷的漏磁通密度，随着离开表面距离的增加而急剧减弱D
用有限线圈磁化长的试件，不需进行分段磁化
考题
单选题下列关于缺陷形成漏磁通的叙述，正确的是（）A
缺陷离试件表面越近，形成的漏磁通越小B
在磁化状态、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受缺陷方向影响C
交流磁化时，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时的漏磁通要小D
在磁场强度、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受磁化方向影响；E
除A以外都对
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