网友您好, 请在下方输入框内输入要搜索的题目:

题目内容 (请给出正确答案)

下列关于漏磁通的叙述,正确的是()

  • A、内部缺陷处的漏磁通比同样大小的表面缺陷漏磁通大
  • B、缺陷的漏磁通通常与试件上的磁场强度成反比
  • C、表面缺陷的漏磁通密度,随离开表面的距离增大而急剧下降
  • D、用有限线圈磁化长的工件,不需要进行分段磁化

参考答案

更多 “下列关于漏磁通的叙述,正确的是()A、内部缺陷处的漏磁通比同样大小的表面缺陷漏磁通大B、缺陷的漏磁通通常与试件上的磁场强度成反比C、表面缺陷的漏磁通密度,随离开表面的距离增大而急剧下降D、用有限线圈磁化长的工件,不需要进行分段磁化” 相关考题
考题 下列关于子宫位置与形态的叙述,正确的是( )

考题 下列关于城市规划的叙述,正确的是( )。

考题 下列关于函数依赖的叙述中,( )是不正确的。

考题 关于栓塞的叙述下列哪项是正确的( )。

考题 关于机体水钠代谢失调,下列叙述正确的是( )。

考题 下列关于休止角叙述正确的是( )。

考题 关于条件致病菌的叙述下列不正确的是

考题 下列关于关系模式的码的叙述中,( )是不正确的?

考题 下列关于INQ的叙述,正确的是( )。

考题 下列关于非参数统计叙述中正确的是

考题 极化继电器工作时,它的工作气隙同时有两个独立的磁通,它们是()A、工作磁通和漏磁通B、主磁通和漏磁通C、工作磁通和极化磁通D、极化磁通和漏磁通

考题 下列关于缺陷漏磁通的叙述,正确的是()A、与试件上总的磁通密度有关B、与缺陷自身高度有关C、磁化方向与缺陷垂直时漏磁通最大D、以上都对

考题 下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述()是正确的A、磁化强度为一定时,缺陷高度小于1mm的形状相似的表面缺陷,其漏磁通与缺陷高度无关B、缺陷离试件表面越近,缺陷漏磁通越小C、在磁化状态、缺陷种类和大小为一定时,缺陷漏磁通密度受缺陷方向影响D、交流磁化时,近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时要小E、当磁化强度、缺陷种类和大小为一定时,缺陷处的漏磁通密度受磁化方向的影响F、c,d和e都对

考题 下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述中哪个是正确的()A、它与试件上的磁通密度有关B、它与缺陷的高度有关C、磁化方向与缺陷垂直时漏磁通最大D、以上都对

考题 下列关于缺陷形成漏磁通的叙述,正确的是()A、缺陷离试件表面越近,形成的漏磁通越小B、在磁化状态、缺陷类型和大小为一定时,其漏磁通密度受缺陷方向影响C、交流磁化时,近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时的漏磁通要小D、在磁场强度、缺陷类型和大小为一定时,其漏磁通密度受磁化方向影响;E、除A以外都对

考题 下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述()是正确的。A、 在磁化状态、缺陷种类和大小为一定时,缺陷漏磁通密度受缺陷方向影响B、 交流磁化时,近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时要小C、 当磁化强度、缺陷种类和大小为一定时,缺陷处的漏磁通密度受磁化方向的影响D、 以上都对

考题 下列有关漏磁通的叙述正确的是()。A、内部缺陷处的漏磁通,比同样大小的表面缺陷为大B、缺陷的漏磁通通常同试件上的磁通密度成反比C、表面缺陷的漏磁通密度,随着离开表面距离的增加而急剧减弱D、用有限线圈磁化长的试件,不需进行分段磁化

考题 变压器负载运行时,依靠电磁感应作用将能量传递。而起传递作用的磁通是()。A、原边漏磁通B、副边漏磁通C、主磁通D、漏磁通和主磁通

考题 在电磁学中,关于磁路的概念,下列正确说法是().A、磁力线所经过的路线B、主磁通形成闭合回路所经过的路径C、漏磁通形成闭合回路所经过的路径D、主磁通与漏磁通共同经过的路径

考题 单选题下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述中哪个是正确的()A 它与试件上的磁通密度有关B 它与缺陷的高度有关C 磁化方向与缺陷垂直时漏磁通最大D 以上都对

考题 单选题下列关于缺陷漏磁通的叙述,正确的是()A 与试件上总的磁通密度有关B 与缺陷自身高度有关C 磁化方向与缺陷垂直时漏磁通最大D 以上都对

考题 单选题下列关于异步电动机的电磁转矩的说法中,正确的是()。A 由定子主磁通和转子电流相互作用而产生B 由定子电流和转子主磁通相互作用而产生C 由定子漏磁通和转子电压相互作用而产生D 由定子电压和转子漏磁通相互作用而产生

考题 单选题下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述()是正确的A 磁化强度为一定时,缺陷高度小于1mm的形状相似的表面缺陷,其漏磁通与缺陷高度无关B 缺陷离试件表面越近,缺陷漏磁通越小C 在磁化状态、缺陷种类和大小为一定时,缺陷漏磁通密度受缺陷方向影响D 交流磁化时,近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时要小E 当磁化强度、缺陷种类和大小为一定时,缺陷处的漏磁通密度受磁化方向的影响F c,d和e都对

考题 单选题下列关于漏磁通的叙述,正确的是()A 内部缺陷处的漏磁通比同样大小的表面缺陷漏磁通大B 缺陷的漏磁通通常与试件上的磁场强度成反比C 表面缺陷的漏磁通密度,随离开表面的距离增大而急剧下降D 用有限线圈磁化长的工件,不需要进行分段磁化

考题 单选题下列有关漏磁通的叙述,哪些是正确的()A 内部缺陷处的漏磁通,比同样大小的表面缺陷为大B 缺陷的漏磁通通常同试件上的磁通密度成反比C 表面缺陷的漏磁通密度,随着离开表面距离的增加而急剧减弱D 用有限线圈磁化长的试件,不需进行分段磁化

考题 问答题简述什么是主磁通?什么是漏磁通?比较主磁通和漏磁通的大小,并说明为什么?

考题 单选题下列关于缺陷形成漏磁通的叙述,正确的是()A 缺陷离试件表面越近,形成的漏磁通越小B 在磁化状态、缺陷类型和大小为一定时,其漏磁通密度受缺陷方向影响C 交流磁化时,近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时的漏磁通要小D 在磁场强度、缺陷类型和大小为一定时,其漏磁通密度受磁化方向影响;E 除A以外都对