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问答题
简述多晶硅注入的应用

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考题 判断题实现对CVD淀积多晶硅掺杂主要有三种工艺：扩散、离子注入、原位掺杂。由于原位掺杂比较简单，所以被广泛采用。A 对B 错
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考题 单选题在做集成电路的多晶硅电容设计时，要计算每个电容的容值，那么电容的面积大小是怎样计算的？（）A 第一层多晶硅的面积B 第二层多晶硅的面积C 二层多晶硅重叠后的面积
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