网友您好， 请在下方输入框内输入要搜索的题目：

题目内容 （请给出正确答案）
判断题
LPCVD紧随PECVD的发展而发展。由660℃降为450℃，采用增强的等离子体，增加淀积能量，即低压和低温。
A

对

B

错

参考答案

参考解析
解析： 暂无解析
更多 “判断题LPCVD紧随PECVD的发展而发展。由660℃降为450℃，采用增强的等离子体，增加淀积能量，即低压和低温。A 对B 错” 相关考题
考题 低压化学气相淀积与常压化学气相淀积法相比,优点有?
查看答案
考题 每天需要的总能量应为A．450kcalB．500kcalC．550kcalD．600kcalE．660kcal
查看答案
考题 公路安全护栏碰撞能量的最高值为（ ）。A.450kJ B.760kJ C.590kJ D.660kJ
查看答案
考题 热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关？淀积速率的测量采用什么办法？
查看答案
考题 考虑用户数量随城市发展而逐步增加，低压管道以枝状布置为主，也允许布置环状管道。
查看答案
考题 采用LPCVD TEOS淀积的是什么膜？这层膜的优点是什么？
查看答案
考题 二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温（）、（）淀积、PECVD淀积。
查看答案
考题 损伤的分布与注入离子在在靶内的（）的分布密切相关。A、能量淀积B、动量淀积C、能量振荡D、动量振荡
查看答案
考题 一般分子筛脱水适合于裂解气在（），而分子筛再生适合在（）。A、低温，低压；高温，高压B、高温，低压；低温，高压C、低温，高压；高温，低压D、高温，高压；低温，低压
查看答案
考题 电子束的能量在组织中随深度增加而增强。
查看答案
考题 地层的温度随井深的增加而增加，用低温梯度来表示，即平均每一百米增加（）度左右。
查看答案
考题 关于记忆发展的表述正确的是（）。A、儿童记忆广度的发展随年龄而增加B、记忆发展可以从量的发展和质的变化两方面来看C、个体从有意识记向无意识记发展D、随着年龄的增长，个体记忆的组织性逐步增强E、记忆发展没有规律可循
查看答案
考题 低温淀积二氧化硅生长温度低、制作方便，但膜不够致密，耐潮性和抗离子沾污能力较差。（）
查看答案
考题 适当的压力和温度，即（）有利于天然气水化物的生成。A、高压低温B、低压低温C、低压高温D、高压高温
查看答案
考题 判断题在一个化学气相淀积工艺中，如果淀积速率是反应速率控制的，则为了显著增大淀积速率，应该增大反应气体流量。A 对B 错
查看答案
考题 问答题简述低压CVD系统（LPCVD）的优缺点。
查看答案
考题 名词解释题LPCVD（低压CVD）
查看答案
考题 判断题在LPCVD中，由于hGkS，即质量转移系数远大于表面反应速率常数，所以，LPCVD系统中，淀积过程主要是质量转移控制A 对B 错
查看答案
考题 判断题在LPCVD中，由于hGkS，即质量转移系数远大于表面反应速率常数，所以，LPCVD系统中，淀积过程主要是表面反应速率控制A 对B 错
查看答案
考题 问答题APCVD、LPCVD、PECVD和HDPCVD中文名称分别是？
查看答案
考题 判断题LPCVD系统中淀积速率是受表面反应控制的，APCVD系统中淀积速率受质量输运控制。A 对B 错
查看答案
考题 填空题缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是（）、（）、高密度等离子体化学气相淀积和（）。
查看答案
考题 问答题薄膜在KOH水溶液中的腐蚀速率非常慢，因此常作为硅片定域KOH各向异性腐蚀的掩蔽膜，而PECVD氮化硅薄膜在KOH水溶液中的腐蚀速率快。怎样才能用已淀积的PECVD氮化硅薄膜作为KOH各向异性腐蚀的掩蔽膜？
查看答案
考题 单选题“PECVD”中文表述是（）。A 脉冲激光沉积B 金属有机化学气相沉积C 溅射D 等离子体增强化学气相沉积
查看答案
考题 问答题低压化学气相淀积与常压化学气相淀积法相比，优点有？
查看答案
考题 名词解释题PECVD（等离子增强CVD）
查看答案
考题 多选题影响等离子体蚀刻特性好坏的因素包括以下几个方面（）。A等离子体蚀刻系统的形态B等离子体蚀刻的参数C光刻胶D待蚀刻薄膜的淀积参数条件
查看答案
热门标签
最新试卷