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判断题
对于面积大于0.1m2的组件,测试绝缘电阻乘以组件面积应不小于400MΩ·m2。
A

B


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考题 绝缘电阻试验中,IED回路额定电压大于60V时,用( )绝缘电阻测试仪测量。额定电压不大于60V时,用( )绝缘电阻测试仪测量,施加电压时间不小于5s,绝缘电阻值应不低于5MΩ。() 250V,125V $; $500V、250V $; $1000V,250V $; $500V,200V

考题 典型的V-模型包括四种测试级别,分别是()A、组件测试、系统测试、验收测试、维护测试B、组件测试、回归测试、系统测试、验收测试C、组件测试、集成测试、系统测试、验收测试D、组件测试、模块测试、系统测试、验收测试

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考题 非晶硅薄膜组件全光照面积的光电转换效率(含组件边框面积)应()。A、≥7%B、≥13.5%C、≥15.5%D、≥17%

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考题 对于市话全塑电缆空闲主干电缆的绝缘电阻测试每条电缆抽测应不小于()对。A、100B、10C、5

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考题 《金太阳示范工程关键设备基本要求(2012年)》中规定,晶体硅组件全光照面积的光电转换效率(含组件边框面积)应()。A、≥12.5%B、≥13.5%C、≥14.5%D、≥15.5%

考题 采用的非晶硅组件全光照面积的光电转换效率(以含组件边框面积计算转换效率)不得低于()。A、0.06B、0.08C、0.1D、0.12

考题 CIGS薄膜组件全光照面积的光电转换效率(含组件边框面积)应()。A、≥10%B、≥13%C、≥15.5%D、≥17%

考题 面积小于10m2的机房或受到条件限制时(如改造),其内所有的设备和金属组件除在接地基准点(ERP)与共用接地系统相连外,均应与共用接地系统的各组件有大于()的绝缘。A、3kVB、5kVC、10kVD、15kV

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