考题
双极型晶体管是电流控件,单极型晶体管是电压控件。()
此题为判断题(对，错)。
考题
晶体三极管的()无法用万用表测试。
A、电流放大倍数B、穿透电流C、截止频率D、晶体管的管型
考题
绝缘栅双极型晶体管的简称是()。A、PowerMOSFETB、GTRC、GTOD、IGBT
考题
绝缘栅双极型晶体管简称( )。A.MOSFETB.IGBTC.GTRD.GTO
考题
晶体管的高频参数中，大小顺序为（）。（fα共基极截止频率，fT特征频率，fβ共发射极截止频率）。A、fα〉fT〉fβB、fα〉fβ〉fTC、fα〈fT〈fβD、fα〈fβ〈fT
考题
绝缘栅双极型晶体管简称（）。A、MOSFETB、IGBTC、GTRD、GTO
考题
双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号（即驱动信号）为（）。A、均为电压控制B、均为电流控制C、双极型晶体管为电压控制，场效应管为电流控制D、双极型晶体管为电流控制，场效应管为电压控制
考题
双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号为（）。A、电压B、电流C、双极型为电压、场效应为电流D、双极型为电流、场效应为电压
考题
晶体三极管（）无法用万用表测试。A、电流放大倍数βB、穿透电流IcboC、截止频率D、晶体管的管型
考题
绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极（），以（）复合而成。
考题
双极型晶体管是（）控制器件，单极型晶体管是（）控制器件。
考题
常用的电子开关有（）。A、继电器B、双极型晶体管C、MOS场效应晶体管D、二极管
考题
晶体管有三个频率参数fβ/sub称为共射截止频率，fα称为共基截止频率，fT称为（）。
考题
已知某晶体三极管的高频参数fT、β，则共基截止频率fa约为（）
考题
双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是GTO。
考题
GTR是一种（）晶体管．A、双极型B、单极型C、混合型D、三极型
考题
绝缘栅双极型晶体管具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。
考题
双极型晶体管和场效应晶体管的驱动信号（）。A、均为电压控制B、均为电流控制C、双极型晶体管为电压控制，场效应晶体管为电流控制D、双极型晶体管为电流控制，场效应晶体管为电压控制
考题
单选题GTR是一种（）晶体管．A
双极型B
单极型C
混合型D
三极型
考题
填空题绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极为栅极作为栅极，以以电力晶体管（）和发射极作为发射极与集电极复合而成。
考题
多选题常用的电子开关有（）。A继电器B双极型晶体管CMOS场效应晶体管D二极管
考题
多选题绝缘栅双极型晶体管IGBT属于（）器件。A相控型B全控型C电压控制型D复合型E双极型
考题
判断题双极型晶体管和单极型晶体管中都有两种载流子参与导电。A
对B
错
考题
判断题双极型晶体管是电流控件，单极型晶体管是电压控件。A
对B
错
考题
单选题双极型半导体器件是（）。A
二极管B
晶体管C
场效应晶体管D
稳压管
考题
填空题双极型晶体管其有两种基本结构：PNP型和（）型。
