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利用8155H可以扩展()个并行口,()个RAM单元。


参考答案

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考题 当可编程序控制器用一个中心单元不能满足所要求的控制任务时,就要对系统进行扩展。通讯接口就是用于连接中心单元与扩展单元、扩展单元与扩展单元的模板。()

考题 8051单片机片内RAM从00H~1FH的32个单元,不仅可以作工作寄存器使用,而且可作为通用RAM来读写。()

考题 片内RAM低128个单元划分为()个主要部分。A.2B.3C.4D.5

考题 在8155H芯片中,决定端口和RAM单元编址的信号线是AD7-AD0和WR。()

考题 在Intel 2164动态RAM存储器中,对存储器刷新的方法是( )。A.每次一个单元B.每次刷新512个单元C.每次刷新256个单元D.一次刷新全部单元

考题 现有容量为256BX4的RAM,回答以下问题:(1)该RAM有多少个存储单元?(2)访问该RAM时,每次会选中几个存储单元?( )A.1024,4 B.1000,4 C.1024,2 D.1024,8

考题 8255芯片中可扩展()个8位并行口A、2B、3C、4D、5

考题 以下关于ApplicationvServices的说法中,哪一项是正确的?()A、借助可扩展性,ESX主机可以支持128个核心和512GB的物理RAM。B、借助可扩展性,ESX主机可以支持256个核心和1024GB的物理RAM。C、借助可用性,ESX主机可以支持128个核心和512GB的物理RAM。D、借助可用性,ESX主机可以支持256个核心和1024GB的物理RAM。

考题 以下关于随机访问存储器(RAM)说法错误的是()A、RAM分为静态RAM和动态RAM两类B、SRAM作为高速缓存存储器,既可以在CPU芯片上,也可以在片下C、DRAM将每个位存储在一个双稳态存储器单元里D、DRAM需要不断刷新

考题 MCS-51单片机内部RAM的寄存器区共有()个单元,分为()组寄存器,每组()个单元,以()作为寄存器名称。

考题 将一个包含有32768个基本单元的存储电路设计成4096个字节的RAM,则该RAM有()根数据线,()根地址线。

考题 有一个容量为256×4位的RAM,该RAM有()个基本存储单元,该RAM每次访问()个基本存储单元,该RAM有()根地址线。

考题 内部RAM低128个单元是如何划分的?

考题 FX2N系列PLC每个基本单元最多可以连接1个特殊功能扩展板,8个特殊单元和模块。()

考题 80C51单片机基本型内部用户RAM有128个字节单元,这些单元可以分为三个用途不同的区域,一是(),二是(),三是()。

考题 通过多个T单元的复接,可以扩展T接线器的容量。利用()个 256×256的T接线器可以得到一个512×512的T接线器。

考题 动态RAM芯片2164的容量为64K位(256×256),对2164芯片的刷新方法是()。A、每次刷新1个单元B、每次刷新256个单元C、每次刷新512个单元D、一次刷新全部单元

考题 片内RAM低128单元,按其用途划分为工作寄存器组、()和用户RAM区3个区域。

考题 片内RAM低128单元,按其用途划分为()、位寻址区和用户RAM区3个区域。

考题 串行口可以用来扩展并行口。

考题 80C51单片机基本型内部RAM有()个字节单元,这些单元可以分为三个用途不同的区域,一是()区,二是()区,三是()区。

考题 8255可以扩展()个并行口,其中()条口线具有位操作功能.

考题 下列说法错误的有()。A、由于8155H不具有地址锁存功能,因此在与8031的接口电路中必须加地址锁存器;B、在8155H芯片中,决定端口和RAM单元编址的信号是AD7~AD0和WR;C、8255A具有三态缓冲器,因此可以直接挂在系统的数据总线上;D、8255A的B口可以设置成方式2。

考题 MCS-51的并行接口的扩展有多种方式,在什么情况下,采用扩展8155H比较合适?什么情况下,采用扩展8255A比较适合?

考题 CJ系列的PLC是模块化结构,整个系统可以分为CPU机架和扩展机架,一个CPU机由()、()和I/O单元构成,其中可使用的I/O单元有()、()、()。如果有扩展机架,需要在CPU机架上安装I/O控制单元。一个机架最多可以使用()个I/O单元。

考题 填空题通过多个T单元的复接,可以扩展T接线器的容量。利用()个 256×256的T接线器可以得到一个512×512的T接线器。

考题 问答题现有(1024B×4)RAM集成芯片一个,该RAM有多少个存储单元?有多少条地址线?该RAM含有多少个字?其字长是多少位?访问该RAM时,每次会选中几个存储单元?