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霍尔式传感器的基本原理是:当电流流过放在磁场中的半导体基片,且电流方向与磁场方向垂直上,电荷在洛伦兹力作用下向一侧偏移,在()电流与磁场的半导体基片的横向侧面上,将产生一个()。

  • A、平行;电流
  • B、垂直;电压
  • C、平行;电压
  • D、垂直;电流

参考答案

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考题 霍尔效应的原因是()A、电流在磁场中受到洛仑兹力B、霍尔元件在磁场中感生出电动势C、霍尔元件在磁场中受到哥氏力D、霍尔元件在磁场中受到重力

考题 霍尔电流传感器属于()传感器。A、磁B、电C、电压D、电流

考题 霍尔式曲轴位置传感器利用触发叶片改变通过霍尔元件的磁场强度,从而使霍尔元件产生脉冲的霍尔()信号,即为曲轴位置传感器的输出信号。A、光敏B、电阻C、电压

考题 霍尔电压与流过基片的电流成()。A、反比B、正比C、倒数

考题 置于磁场中的导体或半导体薄片,当有电流通过时,在垂直于电流方向和磁场方向上将产生电动势,称之为()A、压电效应B、磁阻效应C、霍尔效应D、光电效应

考题 霍尔片式压力传感器的霍尔电势Eh的大小与半导体材料、霍尔片的几何尺寸、所通过的电压频率和磁场方向成正比。

考题 压阻式传感器是根据半导体材料的压阻效应在半导体材料的基片上经扩散电阻而制成的器件。

考题 霍尔片式压力传感器的霍尔电势的大小与半导体材料、霍尔片的几何尺寸、所通过的电压频率和磁场方向成正比。

考题 霍尔式速度传感器测量不准的原因不包括()。A、霍尔片断裂B、永久磁场减弱C、永久电场失效D、霍尔片松动

考题 霍尔效应是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时,产生()的物理现象。A、横向电位差B、纵向电位差C、横向电流D、纵向电流

考题 当把一个有电流通过的霍尔元件放在磁场方向与电流方向垂直的磁场中时,在该元件与电流方向垂直的横向侧边上就会产生一个微弱电压,这个电压叫做霍尔电压。

考题 半导体薄片置于磁场中,当有电流流过是,在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势,这种现象称为()。A、压电效应B、压磁效应C、霍尔效应D、电涡流效应

考题 若控制电流和磁场方向一定,对于P型半导体和N型半导体,产生的霍尔电势的极性不同。

考题 金属或半导体薄片置于磁场中,当有电流流过时,在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势,这种物理现象称为()。A、电磁感应B、压电效应C、热电效应D、霍尔效应

考题 磁电式传感器是利用()产生感应电势的。而霍尔式传感器为()在磁场中有电磁效应(霍尔效应)而输出电势的。霍尔式传感器可用来测量()。

考题 下列第()组传感器都是把被测量变换为电动势输出的。A、热电偶、电涡流、电阻应变B、热电偶、霍尔、半导体气敏传感器C、硅光电池、霍尔、磁电D、压电、霍尔、电感

考题 在霍尔式传感器中,霍尔电势反比于磁场强度。

考题 霍尔效应的原理是:当电流I通过在磁场中的半导体基片(即霍尔元件),且电流方向与磁场方向垂直时,在垂直于电流与磁通的半导体基片的横向侧面,即产生下一个与电流和磁感应强度成正比的()。A、电流B、电压C、电感D、电场

考题 霍尔式传感器的基本原理是:当电流流过放在磁场中的半导体晶片,且电流、磁场、晶片相互垂直时,在洛伦兹力作用下半导体基片上将产生一个()。A、线性变化的电流B、线性变化的电压C、矩形波电压D、尖峰波电流

考题 把一块半导体薄片放在垂直的磁场中,在薄片纵向面通入控制电流,那么在此薄片的横向就会出现一定电势,此现象称()效应。A、电磁B、霍尔C、磁场D、电阻

考题 在发电厂、变电所里,霍尔元件的主要应用是霍尔电流传感器(也称霍尔电流计),它是一种接触式传感器。

考题 单选题霍尔电压与流过基片的电流成()。A 反比B 正比C 倒数

考题 判断题当把一个有电流通过的霍尔元件放在磁场方向与电流方向垂直的磁场中时,在该元件与电流方向垂直的横向侧边上就会产生一个微弱电压,这个电压叫做霍尔电压。A 对B 错

考题 填空题磁电式传感器是利用()产生感应电势的。而霍尔式传感器为()在磁场中有电磁效应(霍尔效应)而输出电势的。霍尔式传感器可用来测量()。

考题 填空题半导体应变片传感器的工作原理是基于()效应;涡电流式传感器的工作原理是利用金属导体在交变磁场中的()效应;压电式传感器的工作原理是利用某些材料的()效应。

考题 单选题下列电流传感器中,不属于隔离测量的是()。A 磁补偿式霍尔电流传感器B 电流互感器C 直检式霍尔电流传感器D 分流器

考题 判断题在霍尔式传感器中,霍尔电势反比于磁场强度。A 对B 错