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可控硅的触发电压和触发电流受到温度变化的影响，温度升高触发电压和触发电流值降低，反之增大。

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考题 可控硅触发电路不该触发时,触发回路电压应小于()V。 A、0.15～0.25B、0.3～0.4C、0.35～0.45D、0.5～1
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考题 可控硅导通以后,流过可控硅的电流决定于()。 A、外电路的负载B、可控硅的通态平均电流C、可控硅A～K之间的电压D、触发电压
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考题 可控硅能触发电路不该触发时,触发回路电压应在1V以上。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 可控硅只有同时具有（）时才能导通。A、正向阳极电压和负向触发电压B、正向阳极电压和正向触发电压C、负向阳极电压和正向触发电压D、负向阳极电压和负向触发电压
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考题 因为可控硅的门极触发电压和触发电流是（）温度系数，所以在夏天工作正常的晶闸管装置到冬天有时变得不可靠了。
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考题 晶闸管的触发电压和触发电流受到温度的影响比较小，所以设计触发电路时可以不考虑温度的影响。
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考题 在直流输电中，可控硅的保护性触发指的是（）。A、避免可控硅承受过电压及时触发相应的可控硅B、正常导通时的触发C、投入旁通对D、换相失败时误触发
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考题 换流器的外特性是指（）的关系。A、电压和功率B、电力和触发角C、电压和触发角D、电压和电流
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考题 对晶闸管触发电流、触发电压影响最大的是（）A、温度B、主电路的负载C、电源电压轻微波动D、负载性质
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考题 温度升高，则晶闸管的（）A、门极触发电压增大B、门极触发电流增大C、门极触发电压降低D、门极触发电流降低
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考题 晶闸管的（），容易造成误触发。A、触发电压太大B、触发电压太小C、触发电流太大D、触发电流太小
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考题 单向可控硅导通后，要使其关断，应采用（）措施。A、阴阳极之间加正向电压B、阳阴极之间加正向电压C、减小触发极触发电压D、减小触发极触发电流
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考题 单向可控硅导通后，要使其关断，应采取下列哪种措施（）。A、阴阳极之间加正向电压B、阳阴极之间加正向电压C、减小触发极触发电压D、减小触发极触发电流
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考题 在正常条件下可控硅导通时，其门极、阴极间加入一个适当的（）电压和电流。A、触发B、正向触发C、反向触发D、正向导通
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考题 可控硅的触发电压和触发电流受到温度变化的影响，温度升高触发电压和触发电流值降低，反之则增大。
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考题 下列哪个方法能使晶闸管导通？（）A、晶闸管承受反向电压时，门极有触发电流B、晶闸管承受反向电压时，门极无触发电流C、晶闸管承受正向电压时，门极有触发电流D、晶闸管承受正向电压时，门极无触发电流
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考题 当温度降低时，晶闸管的触发电流会（）、正反向漏电流会（）；当温度升高时，晶闸管的触发电流会（）、正反向漏电流会（）。
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考题 晶闸管的（）受温度的影响很大。A、导通电流B、触发电流C、触发电压D、导通电压
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考题 可控硅触发电路包括方波电源及其削波稳压电路，移相触发电路、偏移电路、给定电路、电流反馈电路、电压（）。
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考题 温度升高时，可控硅的触发电流、维持电流将要减小，正反向漏电电流将增大。
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考题 可控硅主要参数有：正向阻断峰值电压、（）、（）、控制极触发电压、维持电流等。
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考题 保护性触发是指可控硅承受过电压后，还没有被触发导通，为避免可控硅受过电压损坏，（）利用就地保护触发功能及时触发可控硅；同时，还有一个PF信号送给THM。
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考题 单选题下列哪个方法能使晶闸管导通？（）A 晶闸管承受反向电压时，门极有触发电流B 晶闸管承受反向电压时，门极无触发电流C 晶闸管承受正向电压时，门极有触发电流D 晶闸管承受正向电压时，门极无触发电流
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考题 填空题当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降；当温度升高时，晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会（）。
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考题 判断题可控硅的触发电压和触发电流受到温度变化的影响，温度升高触发电压和触发电流值降低，反之增大。A 对B 错
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考题 判断题可控硅的触发电压和触发电流受到温度变化的影响，温度升高触发电压和触发电流值降低，反之则增大。A 对B 错
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考题 填空题当温度降低时，晶闸管的触发电流会（）、正反向漏电流会（）；当温度升高时，晶闸管的触发电流会（）、正反向漏电流会（）。
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