考题
下列半导体器件中属于电流型控制器件的是()。
A.GTRB.MOSFETC.IGBT
考题
半导体湿度传感器可以分为()。A、元素半导体湿敏器件B、金属氧化物半导体湿敏器件C、多功能半导体陶瓷湿度传感器D、MOSFET湿敏器件E、结型湿敏器件
考题
现代计算机系统的内存主要采用的是()。
A.二氧化硅B.铝金属薄膜材质C.半导体存储器件D.聚碳酸酯材质
考题
光敏二极管属于单向导电的线性半导体器件。（）
考题
制造半导体器件薄膜化学气相沉积装置
A．8486.3021
B．8486.2029
C．8486.2021
D．8486.3029
考题
利用半导体的光电效应制成的器件叫半导体器件。
考题
整流电路主要是利用（）实现的。A、半导体器件的单向导电性B、半导体器件的电容效应C、半导体器件的击穿特性D、半导体器件的温度敏感性
考题
不论P型半导体还是N型半导体，就半导体器件来说都是带电的。
考题
（）都不能单独构成半导体器件，PN结才是构成半导体器件的基本单元。A、本征半导体B、P型半导体C、N型半导体D、NPN型半导体
考题
半导体管图示仪对半导体器件进行测量的同时，在示波管屏幕上可显示出各种半导体器件的（）。A、性能参数B、转移特性C、内部性能D、特性曲线
考题
晶体管是电流控制型半导体器件，而场效应晶体管则是电压型控制半导体器件。
考题
具有自关断能力的电力半导体器件称为（）。A、全控型器件B、半控型器件C、不控型器件D、触发型器件
考题
在本征半导体中掺入杂质的目的是（）。A、提高半导体的导电能力B、降低半导体的导电能力C、制造出合乎要求的半导体材料，用来生产半导体器件D、产生PN结
考题
现代计算机系统的内存主要采用的是（）。A、二氧化硅B、铝金属薄膜材质C、半导体存储器件D、聚碳酸酯材质
考题
场效应管属于（）型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是（）型器件。
考题
半导体三极管属于（）控制器件，而场效应管属于（）控制器件。
考题
半导体管图示仪在对半导体器件进行测量的同时，在示波管屏幕上可显示出各种半导体器件的（）。A、性能参数B、转移特性C、内部性能D、特性曲线
考题
下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（）。A、GTRB、MOSFETC、IGBT
考题
问答题半导体光电器件是利用什么效应制作的器件？
考题
判断题半导体器件生产中所制备的二氧化硅薄膜属于无定形二氧化硅。A
对B
错
考题
多选题下列属于电流驱动型功率半导体器件的是（）。AGTOBGTRC功率MOSFETDIGBT
考题
单选题现代计算机系统的内存主要采用的是（）。A
二氧化硅B
铝金属薄膜材质C
半导体存储器件D
聚碳酸酯材质
考题
填空题制造电子器件的基本半导体材料是圆形单晶薄片，称为硅片或（）。在硅片制造厂，由硅片生产的半导体产品，又被称为（）或（）。
