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问答题
MgO晶体的肖特基缺陷生成能为84kJ/mol,计算该晶体1000K和1500K的缺陷浓度。
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考题
根据晶体结构理论和化学键理论,试比较下列各组物质熔点的高低。 (1)ZnCl2、CaCl2、KCl三种晶体 (2)NaBr、NaF、NaCl、NaI四种晶体 (3)NaF、KF、MgO、SiCl4、SiBr4五种晶体
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考题
单选题热缺陷亦称为本征缺陷,是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点(原子或离子)。当离子晶体生成肖特基缺陷(Schottkydefect)时,()。A
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正离子空位和负离子空位是同时成对产生的,同时伴随晶体体积的增加C
正离子空位和负离子间隙是同时成对产生的,同时伴随晶体体积的增加D
正离子间隙和负离子空位是同时成对产生的,同时伴随晶体体积的增加
考题
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考题
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