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单选题
溶液过饱和度太高时,晶核形成太快,得到的是()颗粒硫酸铵。
A

B

C

D

很大


参考答案

参考解析
解析: 暂无解析
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考题 如果溶液中没有任何固体颗粒,不管是结晶出来的物体还是外来颗粒,晶核的生成必定在晶体生长开始之前出现。() 此题为判断题(对,错)。

考题 当通过汽化移去溶液时,蒸发结晶器里母液的过饱和度很快升高,必须补充含颗粒的(),使升高的过饱和度尽快消失。 A.晶种B.晶核C.晶体D.晶浆

考题 硫泡沫硫颗粒小的原因()A、溶液制备不好,胶体多B、溶液温度太高C、溶液的碱度偏低D、粘度大

考题 在结晶操作中,若溶液过饱和度大,冷却速度快,强烈的搅拌,得到的晶体颗粒()A、大B、小C、适中D、参差不齐

考题 过饱和度只影响晶核形成快慢,不影响晶体成长过程快慢。

考题 如果溶液中没有任何固体颗粒,不管是结晶出来的物体还是外来颗粒,晶核的生成必定在晶体生长开始之前出现。

考题 生产硫铵时,若晶核形成速度大于成长速度,得到的晶粒将将发生什么变化?

考题 某蛋白在硫酸铵饱和度为60%时可完全沉淀。现有该蛋白水溶液10mL,欲使该蛋白完全沉淀,应加入饱和硫酸铵溶液()mL。A、10B、15C、20D、25

考题 晶核能够产生l的条件是浓度差,这种浓度差称为溶液的过饱和度。

考题 当通过汽化移去溶液时,蒸发结晶器里母液的过饱和度很快升高,必须补充含颗粒的(),使升高的过饱和度尽快消失。A、晶种B、晶核C、晶体D、晶浆

考题 废蜜是不良的导热物质,升温时不宜()。A、太快B、太高C、太慢

考题 结晶过程中,溶质过饱和度大小()。A、不仅会影响晶核的形成速度,而且会影响晶体的长大速度B、只会影响晶核的形成速度,但不会影响晶体的长大速度C、不会影响晶核的形成速度,但会影响晶体的长大速度D、不会影响晶核的形成速度,而且不会影响晶体的长大速度

考题 在()情况下得到粗大而有规则的晶体。A、晶体生长速度大大超过晶核生成速度B、晶体生长速度大大低于过晶核生成速度C、晶体生长速度等于晶核生成速度D、以上都不对

考题 在什么情况下得到粗大而有规则的晶体()A、晶体生长速度大大超过晶核生成速度B、晶体生长速度大大低于过晶核生成速度C、晶体生长速度等于晶核生成速度D、以上都不对

考题 当()超过某一特定值时,过饱和溶液中就会自发形成大量晶核,这种现象称为()。

考题 结晶操作时,溶液浓度对晶核形成和晶体成长有很大的影响。当饱和度低时,晶核生成(),()生长为()。

考题 在每升溶剂中加入767g硫酸铵可达到100%饱和度,所以在50%饱和度的溶液中加入383.5g的硫酸铵可达到100%饱和度。

考题 关于溶质的过饱和度,下列说法正确的是()。A、是指溶质过饱和溶液的浓度B、是指溶质过饱和溶液的浓度与饱和溶液的浓度之比C、过饱和溶液可维持在一定的过饱和度范围内无晶体析出D、当过饱和度超过某一特定值时,过饱和溶液中就会自发形成大量晶核

考题 判断题如果溶液中没有任何固体颗粒,不管是结晶出来的物体还是外来颗粒,晶核的生成必定在晶体生长开始之前出现。A 对B 错

考题 单选题在()情况下得到粗大而有规则的晶体。A 晶体生长速度大大超过晶核生成速度B 晶体生长速度大大低于过晶核生成速度C 晶体生长速度等于晶核生成速度D 以上都不对

考题 判断题在每升溶剂中加入767g硫酸铵可达到100%饱和度,所以在50%饱和度的溶液中加入383.5g的硫酸铵可达到100%饱和度。A 对B 错

考题 填空题当()超过某一特定值时,过饱和溶液中就会自发形成大量晶核,这种现象称为()。

考题 单选题结晶过程中,溶质过饱和度大小()。A 不仅会影响晶核的形成速度,而且会影响晶体的长大速度B 只会影响晶核的形成速度,但不会影响晶体的长大速度C 不会影响晶核的形成速度,但会影响晶体的长大速度D 不会影响晶核的形成速度,而且不会影响晶体的长大速度

考题 单选题对于迅速蒸发硫铵母液中的水分的结晶过程,与实际情况相符合的是()。A 有利于晶体的均匀生长,可得到大颗粒的产品B 有利于大量晶核的形成,可得到大颗粒的产品C 有利于晶体的均匀生长,可得到小颗粒的产品D 有利于大量晶核的形成,可得到小颗粒的产品

考题 单选题在什么情况下得到粗大而有规则的晶体()A 晶体生长速度大大超过晶核生成速度B 晶体生长速度大大低于过晶核生成速度C 晶体生长速度等于晶核生成速度D 以上都不对

考题 填空题结晶操作时,溶液浓度对晶核形成和晶体成长有很大的影响。当饱和度低时,晶核生成(),()生长为()。

考题 判断题晶核形成的速度大于晶体成长的速度时,产品中晶体颗粒大而少。A 对B 错