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单选题
如以r表示电离室的半径,则高能电子束的有效测量点位于()
A

0.1r

B

0.3r

C

0.5r

D

0.75r

E

几何中心


参考答案

参考解析
解析: 暂无解析
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考题 位于肿瘤之后有一重要器官脊髓,在保证足够的肿瘤剂量情况下,为减少肿瘤前正常组织和脊髓的受量,可以选择的照射方法是()。A、高能光子单野B、高能电子束单野C、双光子混合束单野D、高能光子与电子束混合束单野E、双能电子束照射单野

考题 如以r表示电离室的半径,则高能X射线的有效测量点位于()A、0.3rB、0.4rC、0.5rD、0.75rE、几何中心

考题 硅晶体半导体探测器主要用于测量()的相对剂量。A、高能X(γ)射线与低能X射线B、高能X(γ)射线与电子束C、低能X射线与电子束D、高能X射线E、低能X射线

考题 如以r表示电离室的半径,则高能电子束的有效测量点位于()A、0.1rB、0.3rC、0.5rD、0.75rE、几何中心

考题 按照IAEA测量规程1997年修订版的建议,对高能电子线,有效测量点应位于电离室中心前方()A、0.5rB、0.55rC、0.6rD、0.7rE、0.75r

考题 在用电离室测量高能电子束时,有效测量点应位于电离室中心前方的()A、0.40rB、0.50rC、0.60rD、0.70rE、0.75r

考题 如以r表示电离室的半径,则钴-60γ射线的有效测量点位于()A、0.1rB、0.3rC、0.5rD、0.75rE、几何中心

考题 对小光子线射野的PDD测量,错误的是()A、需要准确确定电离室的有效测量点位置B、使用0.1cm3的电离室,其中心电极平行于光子射野中心轴C、使用半导体探头D、使用小收集电极的平行板电离室E、延长源皮距

考题 如以r表示电离室的半径,则中能X射线的有效测量点位于()A、0.3rB、0.4rC、0.5rD、0.75rE、几何中心

考题 农机事故现场测量的尺寸数字可以用阿拉伯数字,半径用R表示。

考题 平行板电离室的优点是()A、腔内散射扰动效应小B、有效测量点易于确定C、对电子束吸收剂量的校准精度高D、对沿线束入射方向剂量梯度变化较大的区域有较高的测量精度E、以上各项

考题 电离室定义有效测量点的目的是()A、修正电离辐射的入射方向B、修正电离室的方向性C、修正电离室气腔内的辐射注量梯度变化D、修正电离室气腔内的能谱变化E、修正电离室测量的几何位置

考题 不能用于测量电子束中心轴PDD的是()A、盖格计数器B、指形电离室C、平行板电离室D、半导体探头E、胶片

考题 按照IAEA测量规程1997年修订版的建议,关于用电离室在水模体中测量加速器8MVX射线吸收剂量时的参考条件,不正确的是()A、源皮距采用常规治疗距离B、照射野为10cm×l0cmC、参考深度为水下10cmD、有效测量点位于电离室前方距离电离室几何中心0.6倍电离室半径处E、每次测量时,机器跳数预设为100MU

考题 用R表示曲线半径,则曲线外侧加宽值W内=()。

考题 如果测得某能量的高能电子束PDD曲线,则电子束的模体表面平均能量是()A、2.33RsB、2.33R50MeVC、2.33R80MeVD、2.059RsMeVE、2.059R50MeV

考题 以球面顶点O为原点,球心C在O点右侧,则曲率半径r为正(正或负),球心C在O点左侧,则曲率半径r为()

考题 从一个质量均匀分布的半径为R的圆盘中挖出一个半径为R/2的小圆盘,两圆盘中心的距离恰好也为R/2。如以两圆盘中心的连线为x轴,以大圆盘中心为坐标原点,则该圆盘质心位置的x坐标应为()A、R/4B、R/6C、R/8D、R/12

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考题 单选题按照IAEA测量规程1997年修订版的建议,对高能电子线,有效测量点应位于电离室中心前方()A 0.5rB 0.55rC 0.6rD 0.7rE 0.75r

考题 单选题不能用于测量电子束中心轴PDD的是()A 盖格计数器B 指形电离室C 平行板电离室D 半导体探头E 胶片

考题 单选题平行板电离室的优点是()A 腔内散射扰动效应小B 有效测量点易于确定C 对电子束吸收剂量的校准精度高D 对沿线束入射方向剂量梯度变化较大的区域有较高的测量精度E 以上各项

考题 单选题硅晶体半导体探测器主要用于测量()的相对剂量。A 高能X(γ)射线与低能X射线B 高能X(γ)射线与电子束C 低能X射线与电子束D 高能X射线E 低能X射线

考题 单选题如果测得某能量的高能电子束PDD曲线,则电子束的模体表面平均能量是()A 2.33RsB 2.33R50MeVC 2.33R80MeVD 2.059RsMeVE 2.059R50MeV

考题 单选题用电离室测量高能X线剂量是,有效测量点位于()A 电离室中心前方的0.5r处B 电离室中心前方的0.55r处C 电离室中心前方的0.6r处D 电离室中心前方的0.65r处E 电离室中心前方的0.7r处