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单选题
如果测得某能量的高能电子束PDD曲线,则电子束的模体表面平均能量是()
A

2.33Rs

B

2.33R50MeV

C

2.33R80MeV

D

2.059RsMeV

E

2.059R50MeV


参考答案

参考解析
解析: 暂无解析
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考题 用于杀菌的电离辐射有() A、丙种射线B、甲种射线C、低能量电子束D、高能量电子束E、乙种射线

考题 当高能电子束能量增大时,其PDD曲线随能量变化的关系是A、PDD表面剂量减少、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染增加B、PDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染增加C、PDD表面剂量增加、坪区变窄、剂量梯度减少以及X射线污染增加D、PDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度增大以及X射线污染增加E、PDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染减少

考题 电子束作为焊接热源,具有高能量密度,且控制精准、反应迅速。A对B错

考题 在源皮距为100cm,照射野10cm×10cm的参考条件下测量得到某电子束水模体深度吸收剂量曲线,根据曲线测得电子射程为9cm,则按照IAEA方法,模体表面最可几能量为()A、6.24MeVB、9.24MeVC、12.24MeVD、15.24MeVE、18.24MeV

考题 电子束百分深度剂量随能量的改变而改变,其变化特点是()A、随着电子束能量的增加,其表面剂量降低、高剂量坪区变窄、剂量跌落梯度增加,并且X线污染减小B、随着电子束能量的增加,其表面剂量降低、高剂量坪区变宽、剂量跌落梯度减少,并且X线污染增加C、随着电子束能量的增加,其表面剂量增加、高剂量坪区变宽、剂量跌落梯度减少,并且X线污染增加D、随着电子束能量的增加,其表面剂量增加、高剂量坪区变窄、剂量跌落梯度增加,并且X线污染增加E、随着电子束能量的增加,其表面剂量增加、高剂量坪区变宽、剂量跌落梯度减少,并且X线污染减小

考题 从剂量学角度考虑,高能X射线的射线质用下列哪项表示()A、半价层B、标称能量C、TPR 20╱TPR 10D、模体表面的平均能量E、模体表面的最可几能量

考题 电子束Rp(mm)是()A、校准系数B、半值深度C、水表面的平均能量D、实际射程E、水下的平均能量

考题 全身皮肤电子束照射时,常用的电子束能量是什么?

考题 高能电子束百分深度剂量分布曲线后部有一长长的”拖尾”,其形成原因是()A、随深度增加,等剂量线向外侧扩张B、电子束入射距离较远C、电子束入射能量较高D、电子束中包含一定数量的X射线E、电子束在其运动径迹上不易被散射

考题 描述照射对电子束百分深度剂量的影响,正确的是()A、较高能量的电子束,照射野对百分深度剂量无影响B、较低能量的电子束,照射野对百分深度剂量无影响C、较低能量的电子束,较大照射野对百分深度剂量影响较大D、较高能量的电子束,较大照射野对百分深度剂量影响较大E、较高能量的电子束,较小照射野对百分深度剂量影响较大

考题 电子束作为焊接热源,具有高能量密度,且控制精准、反应迅速。

考题 如果测得某能量的高能电子束PDD曲线,则电子束的模体表面平均能量是()A、2.33RsB、2.33R50MeVC、2.33R80MeVD、2.059RsMeVE、2.059R50MeV

考题 使用高能电子束照射时,其PDD随射野面积变化的关系是()。A、射野较大时PDD随深度增加而迅速减少,射野减小时PDD不再随射野增加而变化B、射野较小时PDD随深度增加而迅速减少,射野减小时PDD不再随射野增加而变化C、射野较小时PDD随深度增加而迅速减少,射野增大时PDD不再随射野增加而变化D、低能时射野对PDD的影响较大E、对较高能量电子束,使用较小的射野时PDD随射野的变化较小

考题 判断题电子束作为焊接热源,具有高能量密度,且控制精准、反应迅速。A 对B 错

考题 单选题当高能电子束能量增大时,其PDD曲线随能量变化的关系是()A PDD表面剂量减少、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染增加B PDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染增加C PDD表面剂量增加、坪区变窄、剂量梯度减少以及X射线污染增加D PDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度增大以及X射线污染增加E PDD表面剂量增加、坪区增宽、剂量梯度减少以及X射线污染减少

考题 单选题对高能电子束剂量分布特点的描叙,哪项不正确?()A 表面剂量随能量的增加而增加B 从表面到dmax为剂量建成区,区宽随射线能量增加而增加C 从dmax得到d80(d85)为治疗区,剂量梯度变化较小D D80(d85)以后,为剂量跌落区,随射线能量增加剂量梯E 度变徒随电子束能量增加,皮肤剂量和尾部剂量增加

考题 多选题用于杀菌的电离辐射有()。A丙种射线B甲种射线C低能量电子束D高能量电子束E乙种射线

考题 单选题放射治疗高能电子束一般将肿瘤后缘深度取在85%深度处,若此深度为3cm,则电子束能量可近似为()A 11MeVB 6MeVC 9MeVD 7MeVE 15MeV