考题
晶体生长有不同的方法,以下不是熔体法生长的是()。
A、直拉法B、布里奇曼法C、区熔法D、真空蒸发法
考题
上颌支架熔模安插铸道主要采用A．反竖法B．倒竖法C．正竖法D．垂直法E．栅栏式
考题
以下那种方法可以生产夹丝玻璃？（）A、垂直引上法B、水平拉引法C、压延法D、浮法
考题
玻璃制品退火过程有哪几个阶段？浮法平板退火窑又分为那几个区？
考题
浮法一线玻璃熔窑所用燃料为（）。所用燃烧器为（）。燃烧方式为（）
考题
启封火区的方法通常有（）A、通风启封火区法B、锁风启封火区法C、反风启封火区法D、综合启封火区法
考题
以下那种方法可以生产特厚或特薄的玻璃？（）A、垂直引上法B、水平拉引法C、压延法D、浮法
考题
封建时期，法国北部也称为（）A、罗马法区B、法国法区C、日耳曼法区D、勃艮第法区
考题
加压溶气气浮法的基本原理是什么？有哪几种基本流程与熔气方式？各有何特点？当前常用的是那种溶气方式？
考题
最简单的纵隔划区法是（）A、两区法B、三区法C、四区法D、五区法E、以上都不是
考题
下面几种方法中，不属于硅材料的提纯方法是（）。A、改良西门子法B、硅烷法C、悬浮区熔法D、流化床法
考题
工业中单晶硅的制备方法主要有（）和区熔法（FZ法）
考题
下面哪种不是单晶硅的制备方法（）。A、硅带法B、区熔法C、直拉单晶法D、磁拉法
考题
平板玻璃的成型方法不包括下列（）。A、水平引拉法B、垂直引上法C、浮法D、洋火法
考题
多选题启封火区的方法通常有（）A通风启封火区法B锁风启封火区法C反风启封火区法D综合启封火区法
考题
问答题简述悬浮区熔法检验硅多晶中硼、磷含量的原理.
考题
问答题采用提拉法（CZ法，切克劳斯基法）和区熔法制备的硅片，哪种方法质量更高，为什么？那么目前8英寸以上的硅片，经常选择哪种方式制备，为什么？
考题
单选题最简单的纵隔划区法是（）A
两区法B
三区法C
四区法D
五区法E
以上都不是
考题
单选题悬浮区熔法检验多晶硅中基磷含量时，采用快速区熔法的工艺时，第一次区熔时，第一区熔区停留挥发时间（）左右。A
3ｍｉｎB
5ｍｉｎC
7ｍｉｎD
10ｍｉｎ
