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导体MN在金属导体AB和CD上匀速滑动,V为滑动方向,这时导体MN中将产生感生电动势,感生电动势方向由M到N所以M是高电位


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考题 如图所示,导体回路处在一均匀磁场中,B = 0. 5T,R= 2Ω,ab边长L=0. 5m,可以滑动,α=60°,现以速度v=4m/s将ab边向右匀速平行移动,通过R的感应电流为: A. 0. 5A B. -1A C.-0. 86A D. 0. 43A

考题 如图,间距ι=10 cm的平行光滑金属直导轨水平放置在磁感应强度B=0.5 T的匀强磁场中,磁场方向竖直向下;在平行导轨的左端a、b两点间接入两个相同电阻,阻值R=0.8Ω;电阻为r=0.1Ω的导体滑杆cd放在导轨上且与其垂直。导轨电阻不计。当cd杆以υ=2 m/s向右匀速运动时,求 (1)通过cd杆的电流; (2)使cd杆保持匀速运动,应对它施加外力的大小和方向。

考题 如图,两根足够长的平行光滑金属导轨CD和FG上放置一导体杆ab,导轨一端接电源E;该装置放在一匀强磁场中,磁场方向与导轨平面垂直。则导体杆ab(??) A.所受安培力方向向左,向左做匀速运动 B.所受安培力方向向左,向左做变速运动 C.所受安培力方向向右,向右做匀速运动 D.所受安培力方向向右,向右做变速运动

考题 一同轴电缆长L=2m,其内导体半径R1=1cm,外导体内半径为R2=6cm,导体间绝缘材料的电阻率ρ=1×109Ω·m。当内外导体间电压为500V时,绝缘层中漏电流为( )。 A.3.51μA B.7.02μF C.1.76mA D.8.86mA

考题 两根相距为l的平行直导轨ab,cd,bd间连有一固定电阻R,导轨电阻可忽略不计.MN为放在导轨ab和cb上的一长度也为L的导体杆,与ab垂直,其电阻为1/2R,整个装置处于匀强磁场中,磁感应强度的大小为B,方向垂直于导轨所在平面(指向图中纸面内),现使MN沿导轨方向以速度V向右匀速运动,用U表示MN两端电压,则()。

考题 下面是一道作业题及某学生的解答。 题目:如图,足够长的U形导体框架的宽为L,电阻忽略不计,其所在平面为竖直平面,磁感应强度为B的匀强磁场方向垂直于导体框平面,磁场足够大,一根质量m,有效电阻为R的水平导体棒MN垂直于U形框架间,接触良好。导体棒从静止开始沿框架下滑到刚开始匀速运动时,通过导体棒截面的电量为Q,求导体棒从开始下滑到刚开始匀速运动这一过程中.电流对导体棒所做的功. 匀速运动过程中,电流对导体棒所做的功: 问题: (1)指出错误,分析错误的原因,给出正解。(10分) (2)给出教学思路,帮助学生掌握相关知识。(10分)

考题 导体内部的场强为(),导体表面上任何一点场强的方向必定跟该点的表面(),导体上的静电荷只分布在导体的()。

考题 若导体的有效长度为0.8m,电阻为0.5Ω,磁感应强度为1.2T,导体以2m/s的速度与磁力线成30°角的方向做匀速运动,并且导体与负载连接成闭合回路,电路电流为320mA,求导体两端的电压。

考题 设磁感应强度B=50T,导体长度为20m,导体移动速度为2m/s,导体切割方向与磁力线方向的夹角的正弦值sina=1/2,则感应电动势为()V。A、500B、1000C、1500D、2000

考题 当强大的雷电流通过金属()时,会在金属导体上产生很高的电位。A、导体B、半导体C、表面D、内部

考题 习惯上规定,()移动的方向为电流方向。在金属导体中,自由电子定向移动的方向与导体中电流的方向()。

考题 在金属导体中,()的方向和()的移动方向相反。

考题 在金属导体中,电流的方向和自由电子实际移动方向相同。

考题 已知均匀磁场的磁感应强度B是0.8T,直导体的有效长度10cm导体在垂直于磁力线方向上运动的速度是V=10m/s,直导体上的感应电动势应为()。A、80VB、8VC、0.8VD、0.08V

考题 一导体在磁场中切割磁感线运动,已知:磁感强度为100韦伯/平方米,导体长度为0.5米,导体运动速度为2.0m/s,导体运动方向与磁场的夹角为90度,请求导体的感应电动势。

考题 导体两端的电压为200V,导体的电阻为100Ω,通过这段电路中的电流为()。A、2AB、1AC、3AD、4A

考题 霍尔传感器通常选择()材料制作。A、N型半导体B、P型半导体C、金属导体D、导体和半导体

考题 用右手定则判断导体形成的闭合回路在磁场中感应的电流方向,其拇指与四指分别指示().A、导体运动的方向和作用磁场方向B、磁场方向和导体运动方向C、导体运动方向和感应电流方向D、感应电流方向和导体运动方向

考题 在匀强磁场中有效长度为L的直导体,以速度为V()于磁场方向运动时,在导体中将产生感应电动势。A、平行B、垂直C、交叉

考题 只要导体在磁场中运动,其导体上产生电压的方向取决于().A、导体运动的方向和作用磁场方向B、导体运动速度C、导体运动方向D、作用磁场方向

考题 将一理想导体置于静电场中,导体内部的电场强度为(),导体内部各点电位(),在导体表面,电场强度方向与导体表面法向方向是()关系。

考题 当任何一个导体处在电场中时,导体上的电荷也会产生电场,这个电场会迭加在原来的电场之上,改变导体附近的(),这时导体周围的场称为畸变场。A、电流大小B、电压分量C、电流方向D、电场分布

考题 在AB导体内,自由电子在电场力作用下由A向B方向运动,导体内电流的方向是()。A、由A向BB、由B向AC、无方向D、向上

考题 在AB导体内,自由电子在电场力作用下由A向B方向运动,则导体内电流的方向是()。A、由A向BB、由B向AC、无方向D、向上

考题 单选题如图所示,导体回路处在一均匀磁场中,B=0.5T,R=2Ω,ab边长L=0.5m,可以滑动,α=60°,现以速度v=4m/s将ab边向右匀速平行移动,通过R的感应电流为()A。A 0B 0.43C 0.75D -0.86

考题 填空题习惯上规定,()移动的方向为电流方向。在金属导体中,自由电子定向移动的方向与导体中电流的方向()。

考题 单选题如图7-1-6所示,导体回路处在一均匀磁场中,B=0.5T,R=2Ω,ab边长L=0.5m,可以滑动,α=60°,现以速度v=4m/s将ab边向右匀速平行移动,通过R的感应电流为(  )A。图7-1-6A 0B 0.43C 0.75D -0.86