一建机电锅炉主要参数是什么呢？大神救救我

一建机电锅炉主要参数是什么呢？大神救救我

最佳答案

美的电磁炉爆损IGBT管与相关电路故障及维修-------李少怡目前，在小家电维修界无论是专业厂家售后维修、或家电维修爱好者，凡从事电磁炉维修行业大家知道;电磁炉维修是最怕爆损IGBT管故障。时下，每当客户送修电磁炉被确诊为爆损、屡损IGBT管故障时，人们时常总感到惊讶！有时甚至还感到束手无策的“棘手\"活，所以很**修部就以换板，或其他理由就婉言谢绝拒修了！其实这样处置是另有原因：由于部分维修工，对电磁炉各电路缺乏基础知识的了解及研究，按步就搬进行维修，结果在维修过程中若出现屡损高额昂贵的IGBT管。那么，不但挣不到报酬，反而还要赔老本，所以对维修屡损、爆损IGBT管的故障就望而却步。其实，笔者认为，维修该类故障并不难！维修前，首先应分清：是人为因素造成，还是元器件受损，或元器件存在质量问题。检修时，可借助万用表的检测宿小故障潜在范围，“对症下药”，维修电磁炉才能真正做到得心应手。一、人为因素造成。1.锅具的选用。电磁炉的锅具选用，应该严格按照厂家随机原配的锅具进行使用。厂家在设计电磁炉加热功率电路时，首先根据锅质的“磁阻”大小而定的，不同的锅具“磁阻”会决定电磁炉检锅脉冲个数也不同。如美的电磁炉锅具不锈钢G、集电极C和发射极E。提醒各位同行：IGBT25N120与HT20R120不一样否则爆IGBT下面图是阻尼二极管：阻止交流圈。IGBT有带阻尼二极管的，请把电磁炉上单个的阻尼管拆下不用。简解IGBT:绝缘栅双极晶体管IusulatedGateBipolarTransistor简称IGBT，是一种集BJT的大电流密度和MOSFET等电压激励场控型器件优点于一体的高压、高速大功率器件。目前有用不同材料及工艺制作的IGBT,，但它们均可被看作是一个MOSFET输入跟随一个双极型晶体管放大的复合结构。IGBT有三个电极，分别称为栅极G也叫控制极或门极、集电极C亦称漏极及发射极E也称源极。从IGBT的下述特点中可看出，它克服了功率MOSFET的一个致命缺陷，就是于高压大电流工作时，导通电阻大，器件发热严重，输出效率下降。IGBT的特点：1.电流密度大，是MOSFET的数十倍。2.输入阻抗高，栅驱动功率极小，驱动电路简单。3.低导通电阻。在给定芯片尺寸和BVceo下，其导通电阻Rceon不大于MOSFET的Rdson的10%。4.击穿电压高，安全工作区大，在瞬态功率较高时不会受损坏。5.开关速度快，关断时间短，耐压1kV~1.8kV的约1.2us、600V级的约0.2us，约为GTR的10%，接近于功率MOSFET，开关频率直达100KHz，开关损耗仅为GTR的30%。IGBT将场控型器件的优点与GTR的大电流低导通电阻特性集于一体。是极佳的高速高压半导体功率器件。目前458系列因应不同机种采了不同规格的IGBT,它们的参数如下：1SGW25N120----西门子公司出品，耐压1200V，电流容量25℃时46A,100℃时25A，内部不带阻尼二极管，所以应用时须配套6A/1200V以上的快速恢复二极管D11使用，该IGBT配套6A/1200V以上的快速恢复二极管D11后可代用SKW25N120。2SKW25N120----西门子公司出品，耐压1200V,电流容量25℃时46A，100℃时25A,内部带阻尼二极管，该IGBT可代用SGW25N120，代用时将原配套SGW25N120的D11快速恢复二极管拆除不装。3GT40Q321----东芝公司出品，耐压1200V,电流容量25℃时42A，100℃时23A，内部带阻尼二极管，该IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120，代用SGW25N120时请将原配套该IGBT的D11快速恢复二极管拆除不装。4GT40T101----东芝公司出品，耐压1500V，电流容量25℃时80A，100℃时40A，内部不带阻尼二极管，所以应用时须配套15A/1500V以上的快速恢复二极管D11使用，该IGBT配套6A/1200V以上的快速恢复二极管D11后可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321，配套15A/1500V以上的快速恢复二极管D11后可代用GT40T301。5GT40T301----东芝公司出品，耐压1500V,电流容量25℃时80A，100℃时40A，内部带阻尼二极管，该IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321、GT40T101，代用SGW25N120和GT40T101时请将原配套该IGBT的D11快速恢复二极管拆除不装。6GT60M303----东芝公司出品，耐压900V，电流容量25℃时120A，100℃时60A，内部带阻尼二极管。