考题
35kV变压器出厂验收时，应测量每一绕组连同套管对地及其余绕组间的介损、电容值，并将测试温度下的介损值换算到（）℃。A、18B、20C、22D、25
考题
油纸电容式套管末屏上引出的小套管是供套管介损试验和变压器局部放电试验用的。正常运行中小套管应可靠地接地。
考题
交流耐压试验对以下设备不会形成破坏性的累积效应（）。A、变压器B、电力电缆C、纯瓷套管D、纯瓷绝缘子
考题
测量20kV及以上非纯瓷套管的主绝缘介质损耗正切值tanδ和电容值，应符合下列规定：在温室不低于（）℃ 下。A、10％B、20％C、30％D、40％
考题
打开变压器套管包装箱，检查套管瓷件有否损坏，并清洁瓷套表面。用1000V绝缘电阻表测量套管绝缘电阻，其阻值应大于（）MΩ。A、700B、800C、900D、1000
考题
变压器用的绝缘套管有纯瓷的、（）和电容式等不同形式。
考题
测量非纯瓷套管的介质损耗因数tgδ和电容值时，同一绕组的套管（）。
考题
非纯瓷套管的交流耐压（）。A、应一年做一次B、应3年做一次C、仅大修后做
考题
110（66）kV-220kV变压器出厂验收时，应测量每一绕组连同套管对地及其余绕组间的介损、电容值，并将测试温度下的介损值换算到（）℃。A、18B、20C、22D、25
考题
变压器纯瓷充油套管检修时，绝缘筒与导电杆中间应有固定圈防止窜动，导电杆应处于瓷套的（）。A、上方B、中心位置C、左边D、右边
考题
变压器低电压试验验收进行介质损耗因数、电容量测量时，测量每一绕组连同套管对地及其余绕组间的介损、电容值，并将测试温度下的介损值换算到（）℃。A、10B、15C、20D、25
考题
变压器纯瓷充油套管及升高座检修时，绝缘筒与导电杆中间应有固定圈防止窜动，导电杆应处于瓷套的左上方。
考题
变压器纯瓷充油套管及升高座检修时，导电杆和连接件紧固螺栓或螺母有防止松动的措施。
考题
变压器交接试验时，500kV电压等级的非纯瓷套管的介质损耗因数tgδ不大于（）。A、0.5B、0.6C、0.7D、0.8
考题
变压器交接试验时，非纯瓷套管的电容量与产品铭牌数值或出厂试验值相比差值在正负（）％范围内。A、2B、3C、5D、10
考题
变压器套管整体绝缘显著降低，能够有效发现缺陷的可能试验项目是（）。A、直流电阻B、阻抗测量C、套管绝缘电阻D、套管介损
考题
测量35KV及以上多油断路器的非纯瓷套管的介质损耗因数角在断路器的（）状态下进行。
考题
测量变压器整体对地介损tgδ，可采用介损仪正接线及反接线。
考题
40.5kV及以上非纯瓷套管和多油断路器的tanδ应在分闸状态下按每支套管进行测量。
考题
变压器的气体继电器出现报警信号，应首先进行的试验项目，哪一个不太恰当（）A、绕组直流电阻B、铁芯回路绝缘C、套管介损及电容量测量D、油中气体分析
考题
对变压器绕组进行介损测试时，测量绕阻各相短路，非测量绕组各相（）。A、无需短路接地B、短路但不接地C、短路接地D、以上均可以
考题
测量变压器绕组的介损值时，介损测试仪应该使用正接法。（）
考题
用QS1电桥测量变压器套管连同绕组一起的介损tgδ，应采用何种接线？如何接线？
考题
用正接接线方式，测量一台110kV耦合电容器主绝缘介损tgδ，如介损仪的Cx与其耦合电容的末屏（接地小套管）接触不良，影响介损测量结果准确性。
考题
测量一台110kV电力变压器，高压绕组对中+低压绕组及地介损损tgδ，当tgδ不合格时，一般表明其高压套管tgδ不合格。
考题
变压器绝缘套管的类型主要有式、纯瓷式和（）式等。
考题
当变压器电容型套管对地绝阻低于1000MΩ时，应测量末屏对地的介损，加压（）。
