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MIP装置的能耗略（）于常规FCC工艺。

  • A、高
  • B、相当
  • C、低
  • D、无法确定

参考答案

更多 “MIP装置的能耗略（）于常规FCC工艺。A、高B、相当C、低D、无法确定” 相关考题
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考题 MIP－CGP工艺相对于MIP工艺第一反应区反应温度( ),反应时间更长。 A、低B、相当C、高D、无法确定
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考题 下列选项中,可以提高装置柴汽比的催化裂化工艺是( )。 A、MGD工艺B、MIP工艺C、MIO工艺D、MGG工艺
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考题 MIP装置的能耗略( )于常规FCC工艺。 A、高B、相当C、低D、无法确定
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考题 下列选项中,属于国外专利的催化裂化工艺是( )。 A、MIP工艺B、MSCC工艺C、DCC工艺D、MGG工艺
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考题 在爬升阶段,先打开第二部F／D.然后衔接自驾A于CMD方式,则主FCC为()。 A.FCC AB.FCC BC.不分主次D.以上均不对
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考题 Ep为装置能耗,Ef为燃料油能耗,Es为蒸汽能耗,Ee为电力能耗,Ew为各种水能耗,Ex为其他能耗工质能耗,Eh为装置与界外交换的有效热量,则装置能耗Ep的计算公式为()。 A、Ep=Ef+Es+Ee+Ew+Ex-EhB、Ep=Ef+Es+Ee+Ew-Ex+EhC、Ep=Ef+Es+Ee+Ew+Ex+EhD、Ep=Ef+Es+Ee+Ew-Ex-Eh
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考题 MRC液化工艺的能耗较高。()
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考题 在爬升阶段，先打开第二部F/D.然后衔接自驾A于CMD方式，则主FCC为（）。A、FCC AB、FCC BC、不分主次D、以上均不对
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考题 脱乙烷塔工艺参数的选取，直接影响脱乙烷塔的操作和乙烯装置的能耗。
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考题 产品的直接能耗是指与产品生产工艺过程直接相关的能耗，也叫产品的工艺能耗。
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考题 在工艺控制图中，流量累计用（）表示。A、LCB、FCC、FQD、PC
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考题 一项目还有特殊生产过程导致非常规能耗增加，下列关于整栋建筑能耗模拟非常规能耗论述正确的是（）。A、使用特殊方法计算B、非常规能耗从基准值和设计值中扣除C、非常规能耗不在计算之内D、非常规能耗不用计算也不用提交任何文件
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考题 三机的能耗约占深冷分离装置总能耗的70%左右。
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考题 催化装置能耗中所占比例最大的部分是装置消耗蒸汽的能耗。
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考题 能耗主要由（）、（）、（）、（）四部分组成，对于裂解工艺其能耗中（）、（）占能耗的绝大部分。
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考题 VPSA工艺的优点是再生效果好，产品收率高，但缺点是需要增加真空泵，装置能耗相对较高。
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考题 己内酰胺装置有利于能耗优化的措施有：（）。A、采用三段重排工艺B、重排调节冷却水的应用C、闪蒸工艺D、三效蒸发工艺
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考题 关于装置规模对能耗的影响，下列说法正确的是（）。A、装置规模小能耗相应低B、小机泵效率较高，装置规模小有利于节能，C、规模小的装置，其“固定能耗”占的比例比大装置大D、规模大的装置，其“固定能耗”占的比例比大装置大
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考题 干馏煤气的制气工艺（）。A、能耗高、污染高B、能耗低、污染高C、能耗高、污染低D、能耗低、污染低
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考题 根据常规品种工艺要求，（）应焊接部位适应，针尖略（），（）有韧性、有弹性。
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考题 B737NG22CH0048在爬升阶段，先打开第二部F/D，然后衔接自驾A于CMD方式，则主FCC为（）A、FCC AB、FCC BC、不分主次D、以上均不对
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考题 B737NG22CH0030通常FCC A给出高度警戒警告，FCC B在以下情况下给出警告（）A、仅FCCA A/P衔接于CWS，FCC A气压修正高度有效B、仅FCCA A/P衔接于CMD，FCC A气压修正高度有效C、仅FCCB A/P衔接于CWS，FCC B气压修正高度有效D、仅FCCB A/P衔接于CMD，FCC B气压修正高度有效
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考题 正副驾驶的F/D指令信号来自于（）A、衔接的FCCB、MCPC、FCC A落地后转到FCC BD、正驾驶来自FCC A，副驾驶来自FCC B
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考题 通常FCC A给出高度警戒警告，FCC B在以下情况下给出警告（）。A、仅FCC A A/P衔接于CWS，FCC A气压修正高度有效B、仅FCC A A/P衔接于CMD，FCC A气压修正高度有效C、FCC B A /P衔接于CWS，FCC B气压修正高度有效D、仅FCC B A/P衔接于CMD，FCC B气压修正高度有效
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考题 判断题脱乙烷塔工艺参数的选取，直接影响脱乙烷塔的操作和乙烯装置的能耗。A 对B 错
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考题 判断题产品的直接能耗是指与产品生产工艺过程直接相关的能耗，也叫产品的工艺能耗。A 对B 错
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考题 单选题关于装置规模对能耗的影响，下列说法正确的是（）。A 装置规模小能耗相应低B 小机泵效率较高，装置规模小有利于节能，C 规模小的装置，其“固定能耗”占的比例比大装置大D 规模大的装置，其“固定能耗”占的比例比大装置大
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