考题
催化剂硫化时如果反应器床层温升高,应该( )。A.停止注硫B.降低入口温度C.减少注硫量
考题
热点温度是指()。
A.合成塔入口温度B.合成塔出口温度C.催化剂床层最高一点的温度D.催化剂床层最低一点的温度
考题
造成甲醇合成催化剂活性下降的原因有()。
A.催化剂中毒B.催化剂过热C.高级烷烃堵塞催化剂微孔D.催化剂床层温度低
考题
实际生产中,甲醇合成操作压力上升原因()。
A.催化剂床层温度低，调节催化剂床层温度B.新鲜气氢含量过高C.催化剂活性下降D.循环机跳车会造成合成系统压力急剧上升
考题
催化剂活性下降可通过（）获得补偿。A、降低反应器入口压力B、提高反应器入口温度C、降低反应器入口温度D、降低加热炉出口温度
考题
氢氮比过高会使催化剂床层温度大幅降低，过低会使催化剂床层温度大幅升高
考题
催化剂硫化时，如果床层温升大应该（）。A、停止注硫B、降低入口温度C、减少注硫量D、提高循环量
考题
下列不是造成耐硫低变催化剂反硫化的原因是（）A、入口温度高B、入口气体中H2S含量低C、汽气比高D、入口气体中氢气含量高
考题
关于催化剂的描述正确的是（）。A、反应温度高会加快催化剂失活B、结碳会使催化剂失活C、MTBE纯度低会使催化剂活性降低D、筒式反应器出口温度高于入口温度会使催化剂活性降低
考题
加氢装置催化剂再生时，温升的计算方法是（）。A、床层最高温度减最低温度B、床层最高温度减入口温度C、反应器入口温度减出口温度D、反应器平均温度减入口温度
考题
冷交、氨分液位过高不会造成以下哪种现象（）。A、循环机带氨B、合成塔入口温度降低C、催化剂层温度下降D、系统压力降低
考题
合成塔进口气体带液氨的原因是什么，正确的是（）A、系统压力迅速升低B、催化剂床层入口温度下降，进口氨含量猛升C、催化剂上层温度急升D、冷交换器液位过低
考题
热点温度是指：（）A、合成塔入口温度；B、合成塔出口温度；C、催化剂床层最高一点的温度。
考题
反应器入口压力升高可能是由于（）A、后部系统堵塞B、入口温度升高C、入口温度降低D、催化剂活性减弱
考题
合成塔催化剂床层入口温度要比该催化剂活性温度高（）℃。A、10～20B、20～30C、10～30D、15～25
考题
催化剂硫化时会造成床层温度暴涨的原因有哪些？有何危害？
考题
冷交、氨分液位过高不会造成（）现象A、循环机带氨B、合成塔入口温度降低C、催化剂层温度下降D、系统压力降低
考题
变换催化剂活性降低以后可以通过适当提高入口温度的办法，提高其活性。
考题
催化剂硫化时如果反应器床层温升高，应该（）。A、降低入口温度B、停止注硫C、减少注硫量
考题
评价加氢精制剂时，保持其它条件不变，关于进油量对反应温度波动的说法正确的是（）A、进油量的增加会降低催化剂床层温度。B、进油量的减少会降低催化剂床层温度。C、随着进油量的逐渐加大，催化剂床层温度会先升高再下降。D、随着进油量的逐渐加大，催化剂床层温度会逐渐降低。
考题
造成甲醇合成催化剂活性下降的原因有（）。A、催化剂中毒B、催化剂过热C、高级烷烃堵塞催化剂微孔D、催化剂床层温度低
考题
催化剂床层轴向温度分布情况是（）。A、入口温度高B、中间温度高C、出口温度高D、相同
考题
氢氮比控制过高或过低都会使催化剂层温度大幅度降低，严重时可造成催化剂层温度下垮，系统压力猛升的事故。
考题
冷交、氨分液位过高，造成循环机带氨，入口温度降低，合成塔入口温度降低，催化剂层温度下降，系统压力升高。
考题
甲烷化催化剂因活性衰减，使甲烷化反应速度降低，应提高入口温度，使床层热点温度保持在（）℃A、280B、310C、350D、380
考题
判断题氢氮比控制过高或过低都会使催化剂层温度大幅度降低，严重时可造成催化剂层温度下垮，系统压力猛升的事故。A
对B
错
考题
判断题冷交、氨分液位过高，造成循环机带氨，入口温度降低，合成塔入口温度降低，催化剂层温度下降，系统压力升高。A
对B
错
