考题
二极管中电流(),晶体管中从C极到E极的电流(),场效应管的漏极电流()。
A、穿过两个PN结B、穿过一个PN结C、不穿过PN结D、穿过三个PN结
考题
场效应管是通过改变()来控制漏极电流的。
A、栅极电流B、栅源电压C、源极电压D、源极电流
考题
关于场效应管下面说法正确的是()。
A.是一种半导体三极管B.是利用电场效应来控制其电流大小C.其输入阻抗极高D.便于集成E.其输入阻抗低F.不便于集成
考题
下列关于场效应管的说法中，错误的是： A、场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOSFET）B、场效应管工作于放大状态时，结型场效应管的栅极与源极之间的PN结是正向偏置C、一般来说，场效应管的输入电阻都比较高，结型高达107Ω，绝缘型高达109ΩD、场效应管具有输入电阻高、温度稳定性好、噪声小等优点E、一般来说，场效应管的放大能力大都比较弱
考题
场效应管的放大功能是依赖于（）实现的.A、电流控制作用B、电压控制作用C、电场控制作用D、磁场控制作用
考题
结型场效应管的工作是通过改变（）来控制管子的（）。
考题
关于场效应管下面说法正确的是（）。A、是一种半导体三极管B、是利用电场效应来控制其电流大小C、其输入阻抗极高D、便于集成E、其输入阻抗低F、不便于集成
考题
PN结内扩散电流是载流子在电场作用下形成的。
考题
场效应管是利用外加电压产生的（）来控制漏极电流的大小的。A、电流B、电场C、电压
考题
结型场效应管利用删源极间所加的（）来改变导电沟道的电阻。A、反偏电压B、反向电流C、正偏电压D、正向电流
考题
结型场效应管的工作实质是通过改变UGS来控制沟道电阻的大小，从而实现UGS和ID的控制。
考题
结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的PN结反偏。
考题
太阳能电池由于要接收（），所以具有很大面积的（），引起光电效应必要的内建电场，就是利用了PN结的界面诱导电厂。
考题
根据场效应管的转移特性，可知场效应管是一种（）器件。A、电压控制电压源B、电流控制电压源C、电压控制电流源D、电流控制电流源
考题
对于结型场效应管，栅源极之间的PN结（）A、必须正偏B、必须零偏C、必须反偏D、可以任意偏置
考题
场效应管是（）器件。A、电压控制电压B、电流控制电压C、电压控制电流D、电流控制电流
考题
为了使结型场效应管正常工作，两个PN结必须加（）。
考题
场效应管是一种利用（）来控制其电流大小的半导体三极管，所以我们说场效应管是（）器件，三极管是（）器件。
考题
场效应管是利用外加电压产生的（）来控制漏极电流的大小的，因此，称它为（）控制电流的器件。
考题
场效应管是利用输入回路的（）来控制输出电流的半导体器件，而晶体管是利用输入回路（）来控制输出电流的。
考题
JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变（）的宽窄，从而控制漏极电流的大小；而MOSFET则是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面（）的多少，从而控制漏极电流的大小。
考题
PN结内的扩散电流是载流子的电场力作用下形成的。
考题
场效应管是一种利用（）来控制其电流大小的半导体器件。
考题
PN结反向偏置时，PN结的内电场（）。PN具有（）特性。
考题
电力场效应管（MOSFET）是利用改变电场来控制固体材料导电能力的有源器件，属于（）。
考题
单选题结型场效应管利用栅源极间所加的（）来改变导电沟道电阻。A
反偏电压B
反向电流C
正偏电压D
正向电流
考题
填空题PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相同，有利于少子的漂移运动而不利于多子的（），这种情况下的电流称为（）。