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关于场效应管下面说法正确的是()。

  • A、是一种半导体三极管
  • B、是利用电场效应来控制其电流大小
  • C、其输入阻抗极高
  • D、便于集成
  • E、其输入阻抗低
  • F、不便于集成

参考答案

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考题 场效应管具有输入阻抗低、易于大规模集成等独特的优点。() 此题为判断题(对,错)。

考题 关于场效应管下面说法正确的是()。 A.是一种半导体三极管B.是利用电场效应来控制其电流大小C.其输入阻抗极高D.便于集成E.其输入阻抗低F.不便于集成

考题 射随器主要起阻抗变换作用,其利用的是()。A、高输入阻抗和高输出阻抗特点B、低输入阻抗和高输出阻抗特点C、高输入阻抗和低输出阻抗特点

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考题 场效应管与普通半导体三极管不同的是,它是电压控制器件

考题 场效应管是()控制型器件,具有输入阻抗高、噪声低的特点A、电流B、电能C、电感D、电压

考题 三极管和场效应晶体管的控制信号(即驱动信号)为()。A、均为电压控制B、均为电流控制C、三极管为电压控制,场效应管为电流控制D、三极管为电流控制,场效应管为电压控制

考题 利用电场效应来控制电流的PN结称为场效应管。

考题 场效应管()。A、是电流控制元件B、是电压控制元件C、输入阻抗高D、输入阻抗低E、输入阻抗与三极管相同

考题 不具有放大作用的电子器件是()。A、三极管B、场效应管C、集成运放电路D、稳压二极管E、发光二极管F、集成功放电路

考题 场效应管属于()控制型器件,而半导体三极管则可以认为是()控制型器件。A、电阻B、电压C、电容D、电流E、电功F、电导

考题 TTL集成门电路是指()。A、二极管---三极管集成门电路B、晶体管---晶体管集成门电路C、N沟道场效应管集成门电路D、P沟道场效应管集成门电路

考题 场效应管与三极管相似,但两者的控制特性却截然不同,三极管是电压控制元件,场效应管是电流控制元件。()

考题 场效应管是利用外加电压产生的()来控制漏极电流的大小的。A、电流B、电场C、电压

考题 场效应管是利用一种多子导电,其受温度的影响很小。

考题 场效应管是一种利用()来控制其电流大小的半导体三极管,所以我们说场效应管是()器件,三极管是()器件。

考题 场效应管是利用外加电压产生的()来控制漏极电流的大小的,因此,称它为()控制电流的器件。

考题 场效应管是利用输入回路的()来控制输出电流的半导体器件,而晶体管是利用输入回路()来控制输出电流的。

考题 场效应管是一种利用()来控制其电流大小的半导体器件。

考题 ()是利用外加电场,使半导体中形成一个导电沟道并控制其大小(绝缘栅型)沟道或改变原来导电的大小(结型)来控制电导率变化的原理制成的。A、半导体二极管;B、晶体三极管;C、场效应晶体管;D、双向晶闸管。

考题 半导体三极管与场效应管的一个重要区别是:三极管为()控制元件,场效应管为()控制元件。

考题 从工作性能看,晶闸管属于()的一种.A、二极管B、三极管C、场效应管D、集成运放

考题 CMOS集成门电路的输入阻抗比L集成门电路高。

考题 单选题()是利用外加电场,使半导体中形成一个导电沟道并控制其大小(绝缘栅型)沟道或改变原来导电的大小(结型)来控制电导率变化的原理制成的。A 半导体二极管B 晶体三极管C 场效应晶体管D 双向晶闸管

考题 单选题场效应晶体管与晶体三极管比较,其突出优点是()A 噪声低、输入阻抗低B 热稳定性好、输入阻抗低C 噪声低、输入阻抗高D 噪声低、热稳定性差

考题 单选题集成运算放大器的输入阻抗/输出阻抗特点是()。A 高/低B 低/高C 高/高D 低/低