考题
产生直流高压的半波整流电路中，升压变压器的输出电压经高压硅堆V后变为脉动直流。A对B错
考题
产生直流高压的半波整流电路中（）用于限制试品放电时的放电电流。A升压试验变压器TB高压硅堆VC保护电阻R
考题
产生直流高压的半波整流电路中高压保护电阻R用于限制试品放电时的放电电流。A对B错
考题
产生直流高压的半波整流电路中，经高压硅堆V后变为脉动直流，经滤波电容C后减小了直流电压的脉动。A对B错
考题
产生直流高压的半波整流电路中，高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和额定整流电流。A对B错
考题
产生直流高压的半波整流电路中高压保护电阻通常采用水电阻器。A对B错
考题
产生直流高压的半波整流电路中，经高压硅堆V后变为脉动直流，经滤波电容C后减小了直流电压的脉动。
考题
产生直流高压的半波整流电路中，升压变压器的输出电压经高压硅堆V后变为脉动直流。
考题
产生直流高压的半波整流电路中，升压变压器的输出电压经滤波电容C后变为脉动直流。
考题
产生直流高压的半波整流电路中，高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和（）。A、额定整流电流B、额定负荷电流C、额定开断电流
考题
产生直流高压的半波整流电路中高压保护电阻R用于限制试品放电时的放电电流。
考题
产生直流高压的半波整流电路中高压保护电阻通常采用水电阻器。
考题
产生直流高压的半波整流电路中，高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和额定整流电流。
考题
采用半波整流方式进行直流耐压试验时，通常应将整流硅堆的负极接至是试品高压端。
考题
在直流耐压试验的半波整流电路中，高压硅堆的最大反向工作电压，不得低于试验电压幅值的（）。A、2.83倍；B、2倍；C、1倍；D、1.414倍。
考题
直流高压试验采用高压硅堆作整流元件时，高压硅堆上的反峰电压使用值不能超过硅堆的额定反峰电压，其额定整流电流应大于工作电流，并有一定的裕度。
考题
产生直流高压的半波整流电路中，高压整流硅堆的额定参数主要有额定整流电流和（）。A、额定负荷电流B、额定反峰电压C、额定开断电流D、额定工作电压
考题
采用半波整流方式进行直流耐压试验时，通常应将整流硅堆的负极接至试品高压端。
考题
产生直流高压的半波整流电路中，经高压硅堆V后的脉动直流经（）后会减小直流电压的脉动。A、升压试验变压器TB、降压变压器C、滤波电容CD、保护电阻R
考题
单选题产生直流高压的半波整流电路中（）用于限制试品放电时的放电电流。A
升压试验变压器TB
高压硅堆VC
保护电阻R
考题
判断题产生直流高压的半波整流电路中，升压变压器的输出电压经高压硅堆V后变为脉动直流。A
对B
错
考题
单选题产生直流高压的半波整流电路中，高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和（）。A
额定整流电流B
额定负荷电流C
额定开断电流
考题
判断题直流高压试验采用高压硅堆作整流元件时，高压硅堆上的反峰电压使用值不能超过硅堆的额定反峰电压，其额定整流电流应大于工作电流，并有一定的裕度。A
对B
错
考题
判断题采用半波整流方式进行直流耐压试验时，通常应将整流硅堆的负极接至是试品高压端。A
对B
错
考题
判断题产生直流高压的半波整流电路中，经高压硅堆V后变为脉动直流，经滤波电容C后减小了直流电压的脉动。A
对B
错
考题
多选题产生高压的半波整流电路由（）构成。A升压试验变压器TB高压硅堆VC滤波电容CD保护电阻R
考题
判断题产生直流高压的半波整流电路中，高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和额定整流电流。A
对B
错
