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判断题
采用半波整流方式进行直流耐压试验时,通常应将整流硅堆的负极接至是试品高压端。
A

B


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考题 产生直流高压的半波整流电路中,升压变压器的输出电压经高压硅堆V后变为脉动直流。A对B错

考题 产生直流高压的半波整流电路中()用于限制试品放电时的放电电流。A升压试验变压器TB高压硅堆VC保护电阻R

考题 产生直流高压的半波整流电路中高压保护电阻R用于限制试品放电时的放电电流。A对B错

考题 产生直流高压的半波整流电路中,经高压硅堆V后变为脉动直流,经滤波电容C后减小了直流电压的脉动。A对B错

考题 产生直流高压的半波整流电路中,高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和额定整流电流。A对B错

考题 产生直流高压的半波整流电路中,经高压硅堆V后变为脉动直流,经滤波电容C后减小了直流电压的脉动。

考题 直流耐压试验电压为50000伏,要求高压整流硅堆的额定反峰不得低于()。A、50000伏B、25000伏C、100000伏D、200000伏

考题 产生直流高压的半波整流电路中,升压变压器的输出电压经高压硅堆V后变为脉动直流。

考题 直流耐压试验变压器输出的电压, 经高压整流器整流后变成直流电压加在被试品上。

考题 产生直流高压的半波整流电路中,高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和()。A、额定整流电流B、额定负荷电流C、额定开断电流

考题 产生直流高压的半波整流电路中高压保护电阻R用于限制试品放电时的放电电流。

考题 产生直流高压的半波整流电路中,高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和额定整流电流。

考题 采用半波整流方式进行直流耐压试验时,通常应将整流硅堆的负极接至是试品高压端。

考题 在直流耐压试验的半波整流电路中,高压硅堆的最大反向工作电压,不得低于试验电压幅值的()。A、2.83倍;B、2倍;C、1倍;D、1.414倍。

考题 直流高压试验采用高压硅堆作整流元件时,高压硅堆上的反峰电压使用值不能超过硅堆的额定反峰电压,其额定整流电流应大于工作电流,并有一定的裕度。

考题 直流高电压试验,为了限制试品放电时的放电电流,保护()等,高压侧接取了保护电阻器。A、硅堆B、微安表C、试验变压器D、试品

考题 进行直流耐压试验时,一般是将硅堆的负极接试品。

考题 工频高电压经高压硅堆半波整流产生的直流高电压,其脉动因数与试品直流泄漏电流的大小成反比,与滤波电容(含试品电容)及直流电压的大小成正比。

考题 采用半波整流方式进行直流耐压试验时,通常应将整流硅堆的负极接至试品高压端。

考题 产生直流高压的半波整流电路中,经高压硅堆V后的脉动直流经()后会减小直流电压的脉动。A、升压试验变压器TB、降压变压器C、滤波电容CD、保护电阻R

考题 进行避雷器电导电流试验时,采用硅堆整流,正极或负极接试品的效果是一样的。

考题 直流耐压与直流泄漏电流试验,由于高压引线及高压输出端均曝露在空气中,要产生如下()杂散电流。而影响测量结果的准确性.A、高压引线及高压端通过空气对地B、高压硅堆及硅堆至微安表高压引线对地C、屏蔽线对地D、高压引线输出端及加压端对邻近设备

考题 单选题产生直流高压的半波整流电路中()用于限制试品放电时的放电电流。A 升压试验变压器TB 高压硅堆VC 保护电阻R

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