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问答题
以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些优缺点？并请提出改进方法。
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考题
填空题CMOS工艺中，阱注入的计量为（）量级；源、漏注入的剂量为（）量级；开启调整的注入剂量为（）量级 ；场注入的的剂量为（）量级；离子束合成SOI材料SIMOX的O+注入计量为（）量级。
考题
问答题P阱CMOS与N阱CMOS相比有什么不同？
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