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PN结是半导体集成电路最基础的单元，集成电路从产生到成熟大致经历了如下过程：

A．电子管——晶体管——集成电路——超大规模集成电路

B．晶体管——电子管——集成电路——超大规模集成电路

C．集成电路——晶体管——电子管——超大规模集成电路

D．集成电路——电子管——晶体管——超大规模集成电路

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考题 集成电路可分为膜集成电路,半导体集成电路或混合集成电路。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 下列不属于根据制造工艺的不同对集成电路分类的是()。 A、膜集成电路B、半导体集成电路C、混合集成电路D、模拟集成电路
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考题 按集成电路内半导体工作机理分类,集成电路可分为()。 A、数字集成电路和模拟集成电路B、线性集成电路和非线性集成电路C、双极型集成电路和单极型集成电路D、中小规模集成电路和大规模集成电路
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考题 电控燃油喷射技术经历了晶体管、集成电路到（）三大发展过程A、二极管B、电脑C、微处理D、大规模集成电路
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考题 把构成门电路的基本元件制作在一小片半导体芯片上，就构成集成电路，根据制造工艺的不同，把数字集成电路分为哪两种。（）A、双极性集成电路B、TTL集成电路C、CMOS集成电路D、单极性集成电路
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考题 （）都不能单独构成半导体器件，PN结才是构成半导体器件的基本单元。A、本征半导体B、P型半导体C、N型半导体D、NPN型半导体
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考题 扩散工艺在现在集成电路工艺中仍然是是一项重要的集成电路工艺，现在主要被用来制作（）。A、埋层B、外延C、PN结D、扩散电阻E、隔离区
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考题 按集成度划分，半导体存储器是属于（）。A、小规模集成电路B、中规模集成电路C、大规模集成电路D、超大规模集成电路
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考题 按集成电路所处理的信号的性质或处理方式的不同，可分为半导体集成电路、膜集成电路和混合集成电路三类。（）
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考题 电子计算机发展到今天已经经历了四代，按时间顺序是（）A、电子管、晶体管、集成电路和大规模集成电路时代B、晶体管、电子管、集成电路和大规模集成电路时代C、电子管、晶体管、大规模集成电路和集成电路时代D、晶体管、电子管、大规模集成电路和集成电路时代
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考题 按照制造工艺可分为半导体集成电路、薄膜集成电路和（）集成电路。A、数字B、厚膜C、小规模D、专用
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考题 按制造工艺集成电路分为（）。A、半导体集成电路B、TTL集成电路C、厚膜集成电路D、薄膜集成电路E、CMOS集成电路
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考题 集成电路按照功能可分为（）。A、模拟集成电路B、数字集成电路C、半导体集成电路D、双极型集成电路
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考题 集成电路按照制造工艺可分为（）。A、半导体集成电路B、薄膜集成电路C、数字集成电路D、厚膜集成电路
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考题 微电子技术发展经历了五代，即半导体技术、集成电路技术、大规模集成电路技术、超大规模集成电路技术、超大规模智能化集成电路技术。（）
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考题 微电子技术是现代信息技术的基础之一，而微电子技术又以集成电路为核心。下列关于集成电路的叙述中，错误的是（）A、集成电路是上世纪50年代出现的B、集成电路的许多制造工序必须在恒温、恒湿、超洁净的无尘厂房内完成C、集成电路均使用半导体硅材料D、集成电路的工作速度与组成逻辑门电路的晶体管尺寸有密切关系
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考题 集成电路中元器件的特点是（）。A、集成电路中元器件的性能比较一致，对称性好，适于作差动放大电路B、由于制造三极管比制造电阻器节省硅片，且工艺简单，故集成电路中三极管用得多，电阻用得少C、集成电路中的电容是用PN结的结电容，一般小于100PFD、集成电路中的三极管是低频小功率管E、集成电路中的二极管是高性能管
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考题 固体半导体摄像元件CCD是一种（）A、PN结光电二极管电路B、PNP型晶体管集成电路C、MOS型晶体管开关集成电路D、NPN型晶体管集成电路
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考题 构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。
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考题 构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有（）和（）特性。
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考题 集成电路是把许多（）及其他电子元件汇集在一片半导体上构成的集成电路芯片。
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考题 单选题固体半导体摄像元件CCD是一种（）A PN结光电二极管电路B PNP型晶体管集成电路C MOS型晶体管开关集成电路D NPN型晶体管集成电路
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考题 判断题按集成电路所处理的信号的性质或处理方式的不同，可分为半导体集成电路、膜集成电路和混合集成电路三类。（）A 对B 错
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考题 填空题设计与生产一种最简单的硅双极型PN结隔离结构的集成电路，需要（）、（）、（）、（）、（）、（）等六次光刻。
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考题 填空题集成电路的特征尺寸有时也称线宽，通常是指集成电路中半导体器件的（）。
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考题 填空题半导体集成电路是采用半导体工艺技术，在硅基片上制作包括电阻、电容、（）、晶体管等元器件并具有某种电路功能的集成电路。
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考题 问答题PN结隔离的双极集成电路工艺需要几次光刻，每次光刻目的是什么？
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考题 填空题半导体集成电路主要的衬底材料有单元晶体材料（）、（）和化合物晶体材料（）、（）；硅COMS集成电路衬底单晶的晶向常选（）；TTL集成电路衬底材料的晶向常选（）；常用的硅集成电路介电薄膜是（）、（）；常用的IC互连线金属材料是（）、（）。
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