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半导体光探测器本质是一个pn结，这类器件工作在pn结电流电压特性曲线的第（）象限？

A．I

B．II

C．III

D．IV

参考答案和解析
C
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考题 发光二极管的核心部分是由P型半导体和n型半导体组成的晶片，在P型半导体和n型半导体之间有一个过渡层，称为PN结。在某些半导体材料的PN结中，注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来，从而把电能直接转换为光能。PN结加反向电压，少数载流子难以注入，故不发光。这种利用注入式电致发光原理制作的二极管叫 发光二极管，通称LED。当它处于正向工作状态时(即两端加上正向电压)，电流从LED阳极流向阴极时，半导体晶体就发出从紫外到红外不同颜色的光线，光的强弱与电流有关。对文段理解不正确的是（ ）。A．LED能发光是利用注入式电能转化成光能的技术B．发光二极管是由P型半导体、n型半导体和PN结组成C．PN结位于P型半导体和n型半导体的过渡层上D．LED的状态是通过PN结外加电压来控制的
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考题 晶体管是由两个PN结构成的一种半导体器件,其中一个PN结叫做(),另一个叫做()。
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考题 半导体PN结是构成各种半导体器件的工作基础，其主要特性是______。A.具有放大特性B.具有单向导电性C.具有改变电压特性D.具有增强内电场特性
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考题 发光二极管是一种将电能转变成光能的半导体器件,是由()组成。 A.2个PN结B.3个PN结C.1个PN结D.4个PN结
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考题 PN结具有()特性。 A、导体B、单向导电C、电压放大D、电流放大
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考题 硅稳压管的稳压性质是利用下列什么特性实现的（）。A、PN结的反向击穿特性B、PN结的单向导电特性C、PN结的正向导通特性D、PN结的反向截止特性
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考题 普通半导体三极管是有？（）。A、一个PN结组成B、二个PN结组成C、三个PN结组成D、四个PN结组成
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考题 半导体稳压性质是利用下列什么特性实现的（）。A、PN结的单向导电性B、PN结的反向击穿特性C、PN结的正向导通特性D、PN结的反向截止特性
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考题 PN结加正向电压则：（）A、PN结变薄B、PN结变厚C、PN结不变
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考题 PN结是半导体的基本结构单元，其基本特性是（）：即当外加电压极性不同时，PN结表现出截然不同的导电性能。A、双向导电性B、单向导电性C、电阻特性D、温度特性
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考题 PN结具有（）性能，即加正向电压时，PN结（）；加反向电压时，PN结（）。
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考题 晶体二极管是由一个（）作为管芯，其最主要的电特性是（）：加正向电压时PN结处于（）状态，加反向电压PN结处于（）状态。
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考题 PN结具有（），即加正向电压时，PN结处于（），加反向电压时，PN结处于（）。
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考题 PN结方程可以描述PN结的正向特性和反向特性，也可以描述PN结的反向击穿特性。
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考题 简述PN结反向电压—电流特性；反向饱和电流及方向；PN结的电压—电流特性。
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考题 晶体三极管是由（）A、2个PN结组成，具有单向导电特性B、2个PN结组成，具有电压和电流放大特性C、2个PN结组成，具有电流放大特性D、2个PN结组成，具有电压放大特性E、 3个PN结组成，具有电压和电流放大特性
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考题 什么是PN结？PN结的主要特性是什么？
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考题 PN结外加正向电压时其空间电荷区宽度将（），PN结中（）电流占优势。
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考题 构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。
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考题 当PN结外加正向电压时，PN结内多子（）形成较大的正向电流。
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考题 构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有（）和（）特性。
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考题 PN结反向偏置时，PN结的内电场（）。PN具有（）特性。
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考题 半导体稳压管的稳压作用是利用（）A、PN结单向导电性实现的B、PN结的反向击穿特性实现的C、PN结的正向导通特性实现的D、PN结的反向截止特性实现的
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考题 半导体二级管是用一个PN结制成的半导体器件，它的最基本性质是双向导电性。
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考题 单选题半导体PN结是构成各种半导体器件的工作基础，其主要的特性是（）。A 具有单向导电性B 具有放大性C 具有改变电压特性D 以上都不对
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考题 单选题PN结是构成各种半导体器件的基础，其主要特性是（）。A 具有放大特性B 具有单向导电性C 具有改变电压特性D 具有增强内电场特性
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考题 填空题PN结光电器件，反偏时光电流与反偏电压（）。
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考题 填空题PN结光伏探测器的两种工作模式是（）和（）。
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