考题
当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时,硅二极管()
A、立即导通B、到0.3V才开始导通C.、超过死区电压时才开始导通
考题
在判别锗、硅二极管时,当测出正向压降为()时,将认为此二极管为锗二极管;当测出正向压降为()时,将认为此二极管为硅二极管。
考题
当硅二极管加上0.4V正向电压时,该二极管相当于()。
A、很小的电阻B、很大的电阻C、短路
考题
锗晶体二极管的()电压降比硅晶体二极管小。()电流比硅晶体二极管大。
考题
晶体二极管具有()导电性、即加正向电压二极管(),加反向电压就()。
考题
无论是哪种类型的晶体二极管，其正向电压都是0.3V左右。（）
考题
晶体二极管的特性，只有在（）时导通，而在反向电压时不能导通。A、正向电压B、正向电流C、正向电极D、正向电路
考题
硅二极管两端加上正向电压时（）。A、立即导通B、若超过0.3V才导通C、若超过死区电才导道
考题
硅稳压管是具有特殊（）特性的晶体二极管。A、正向B、反向C、双向D、多向
考题
晶体二极管所加正向电压小于其截止区电压时，则二极管处于（）状态。A、导通B、截止C、电击穿D、热击穿
考题
当硅二极管加上0.3V正向电压时，该二极管相当于（）。A、阻值很大的电阻B、小阻值电阻C、内部短路D、内部开路
考题
在二极管两端加上正向电压时，电流与电压的关系正向特性。通常硅管为（）V。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7
考题
晶体二极管的主要参数是最大正向电流、（）电压。
考题
晶体二极管具有正向特性，硅管的死区电压为（）。A、0—0.2VB、0—0.5VC、0—0.4VD、0—0.3V
考题
当硅二极管加上0、3V正向电压时，该二极管相当于（）。A、小阻值电阻B、阻值很大的电阻C、内部短路D、断路
考题
当硅晶体二极管加上0.3V正向电压时，该晶体二极管相当于（）A、小阻值电阻B、阻值很大的电阻C、内部短路D、接通的开关
考题
硅三极管两端加上正向电压时（）。A、立即导通B、若超过0.3V才导通C、若越过死区电压就导通
考题
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
考题
二极管两端加上正向电压时（）A、一定导通B、超过死区电压才导通C、超过0.7V才导通D、超过0.3V才导通
考题
二极管具有（）向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为（）V；硅管约为（）V。
考题
二极管当正向电压超过UVD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。
考题
当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增大时，硅二极管（）。A、立即导通B、到0.3V时才开始导通C、超过死区电压时才开始导通D、不导通
考题
常温下，硅二极管的正向导通压降为（）。A、0.3V；B、0.7V；C、1V
考题
硅二极管上外加正向电压很低时，正向电流几乎为零。只有在外加电压达到约（）时，正向电流才明显增加，这个电压称为硅二极管的门坎电压。A、0.3VB、0.2VC、0.5VD、0.7V
考题
单选题硅三极管两端加上正向电压时（）。A
立即导通B
若超过0.3V才导通C
若越过死区电压就导通
考题
单选题晶体二极管的特性：只有在（）时导通，而在反向电压时不能导通。A
正向电压B
正向电流C
正向电极D
正向电路