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施主电离产生等量的自由电子和正离子, 受主电离产生等量的空穴和负离子

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考题 电离是指电子脱离原子核的束缚而形成自由电子和()的过程。 A、正离子B、负离子C、离子D、质子
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考题 在FID的火焰中,有机物被电离成为()。 A、正、负离子B、正、负电子C、正离子和电子D、正、负离子和电子
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考题 在气体放电过程中，碰撞电离主要是由（）与气体分子（或原子）相撞而引起的。A正离子B负离子C自由电子
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考题 放电电极附近的气体电离产生大量的（）。A正离子和电子；B正离子和负离子；C正电荷和负电荷；D中子和电子。
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考题 与电离室的复合效应无关的是（）A、电离室的几何尺寸B、工作电压的选择C、正离子产生的速率D、负离子产生的速率E、电离辐射的入射方向
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考题 树木叶枝尖端放电及绿色植物光合作用形成的光电效应，使空气电离产生空气（）A、正离子B、负离子C、金属离子D、有机离子
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考题 N型杂质半导体中，多数载流子是（）A、正离子B、负离子C、空穴D、自由电子
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考题 半导体内的载流子是（）。A、正离子B、负离子C、自由电子D、自由电子与空穴
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考题 原子电离后成为电子和（）A、正离子B、负离子C、中子D、离子
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考题 空气电离后由电子和（）所组成。A、正离子B、负离子C、中子D、离子
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考题 半导体中的载流子为（）。A、正离子B、负离子C、电子D、自由电子和空穴
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考题 P型半导体的多数载流子是（）。A、空穴B、自由电子C、正离子D、负离子
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考题 N沟道结型场效应管中的载流子是（）A、自由电子B、空穴C、电子和空穴D、带电离子
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考题 P型半导体中多数载流子是（）A、自由电子B、空穴C、负离子D、正离子
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考题 N型半导体以（）导电为主。A、自由电子B、空穴C、正离子D、负离子
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考题 电极附近的气体由于电离而产生大量的正离子和负离子。
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考题 电离产生的正离子驱向电极最后被中和，电子则离开电极后附着在气体分子上形成负离子，烟气尘粒按一定的几率被这些负离子碰撞而荷电。
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考题 在本征半导体中，（）是同时出现的.A、多子和少子B、正离子和负离子C、自由电子和空穴
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考题 电解质B的水溶液，设B电离后产生ν+个正离子和ν-个负离子，且ν=ν++ν-，下列各式中，不能成立的是：（）。A、a±=aBB、a±=aB1/νC、a±=γ±（m±/m）D、a±=（a+ν+•a-ν－）1/ν
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考题 电解质B的水溶液，设B电离后产生ν+个正离子和ν-个负离子，且ν=ν++ν-，下列各式中，不能成立的是：（）A、a±=aBB、a±=aB1/νC、a±=γ±（m±/m）D、a±=（a+v+·a-ν－）1/v
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考题 填空题施主杂质电离后成为不可移动的带正电的施主离子，同时向导带提供电子，使半导体成为电子导电的（）型半导体。受主杂离后成为不可移动的带负电的受主离子，同时向价带提供空穴．使半导体成为空穴导电的（）型半导体。
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考题 单选题与电离室的复合效应无关的是（）A 电离室的几何尺寸B 工作电压的选择C 正离子产生的速率D 负离子产生的速率E 电离辐射的入射方向
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考题 单选题半导体内的载流子是（）。A 正离子B 负离子C 自由电子D 自由电子与空穴
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考题 单选题N型杂质半导体中，多数载流子是（）A 正离子B 负离子C 空穴D 自由电子
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考题 单选题在气体放电过程中，碰撞电离主要是由（）与气体分子相撞而产生的A 正离子B 负离子C 自由电子D 气体分子
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考题 单选题在P型半导体中多数载流子是（），在N型半导体中多数载流子是（）。A 空穴／自由电子B 自由电子／空穴C 空穴／共价键电子D 负离子／正离子
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考题 单选题在气体放电过程中，碰撞电离主要是由（）与气体分子（或原子）相撞而引起的。A 正离子B 负离子C 自由电子
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考题 单选题D沟道型场效应管中的载流子是（）A 自由电子B 空穴C 电子和空穴D 带电离子
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