考题
硅二极管的死区电压约为()伏。
A、0.1B、0.7C、0.2D、0.5
考题
硅二极管的死区电压一般为0.2V。此题为判断题(对，错)。
考题
硅二极管死区电压为0.5V,导通电压为0.7V。()
此题为判断题(对，错)。
考题
硅材料二极管的死区电压为()V。
A、0.1B、0.3C、0.5D、0.7
考题
当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时,硅二极管()
A、立即导通B、到0.3V才开始导通C.、超过死区电压时才开始导通
考题
二极管当中，硅管的开启电压约为（ ）V，锗管约为（ ）V。A.0.10.2
B.0.20.3
C.0.50.1
D.0.50.4
考题
小电流硅二极管的死区电压约为（），正向压约为0.7V。A、0.4VB、0.5VC、0.6VD、0.7V
考题
硅二极管的死区约为（）V左右。A、0.2B、零C、0.5D、2
考题
一般硅二极管死区电压为小于（）V。A、0.7B、0.5C、0.3D、0.1
考题
硅半导体二极管的死区电压约为（）。A、0.2VB、1.2VC、0.5VD、1.5V
考题
二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
考题
硅二极管的死区电压约为（）。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7
考题
硅管的死区电压约为（）。A、0.8VB、0.9VC、0.7VD、0.6V
考题
二极管伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
考题
硅管的死区电压约为（）V，锗管的死区电压约为（）V。
考题
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
考题
硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
考题
二极管具有（）向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为（）V；硅管约为（）V。
考题
硅二极管和锗二极管的死区电压分别约为（）A、0.6V；0.6VB、0.6V；0.1VC、0.1V；0.6VD、0.1V；0.1V
考题
当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增大时，硅二极管（）。A、立即导通B、到0.3V时才开始导通C、超过死区电压时才开始导通D、不导通
考题
硅二极管和锗二极管的死区电压的典型值约为多少？
考题
填空题硅管的死区电压（）伏，锗管的死区电压约为（）伏。
考题
问答题二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
考题
判断题硅二极管的正向电压约为0.2V。（）A
对B
错