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Bi-CMOS集成门电路 部分通常采用双极型晶体管。

参考答案和解析
高速缓存可以使用BiCMOS技术构建；BiCMOS是一种混合技术，它使用双极性晶体管作为附加的驱动。
更多 “Bi-CMOS集成门电路 部分通常采用双极型晶体管。” 相关考题
考题 TTL集成逻辑门电路内部是以( )为基本元件构成的。A.二极管B.晶体管C.晶闸管D.场效应晶体管
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考题 集成电路的集成度与组成逻辑门电路的晶体管尺寸有关,尺寸越小,集成度越高()。 此题为判断题(对，错)。
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考题 TTL集成逻辑门电路内部、输入端和输出端都采用三极管结构。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 TTL与非门电路的输入级是由（）构成。A、多发射极晶体管B、单发射极晶体管C、多个二极管D、一个二极管
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考题 双极性集成电路是指由（）和（）型晶体管组成的集成电路。
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考题 TTL集成门电路，当输入端全为高电平时，多发射极晶体管发射结（）偏，集电结分别存在（）偏。A、正、正B、正、反C、反、反D、反、正
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考题 TTL集成逻辑门电路、输入端和输出端都采用二极管结构。（）
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考题 CMSO集成逻辑门电路内部是以（）为基本元件构成的。A、二极管B、晶体管C、晶闸管D、场效应晶体管
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考题 双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号（即驱动信号）为（）。A、均为电压控制B、均为电流控制C、双极型晶体管为电压控制，场效应管为电流控制D、双极型晶体管为电流控制，场效应管为电压控制
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考题 双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号为（）。A、电压B、电流C、双极型为电压、场效应为电流D、双极型为电流、场效应为电压
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考题 下列说法错误的是（）A、双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路B、TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路C、CMOS集成门电路集成度高，但功耗较高D、TTL集成门电路集成度高，但功耗较低E、TTL集成门电路集成度高，但功耗较高
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考题 集成门电路的输入、输出端的结构形式都采用了三极管，都称为晶体管—晶体管逻辑电路，也称（）电路。A、TTLB、CMOSC、触发器D、继电器
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考题 双极型晶体管是（）控制器件，单极型晶体管是（）控制器件。
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考题 TTL“与非”门电路是以（）为基本元件构成的。A、双极型三极管B、双极型绝缘栅C、单极型三极管D、单极型绝缘栅
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考题 TTL集成门电路是指（）。A、二极管---三极管集成门电路B、晶体管---晶体管集成门电路C、N沟道场效应管集成门电路D、P沟道场效应管集成门电路
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考题 TTL门电路的输入、输出部分均采用了晶体管。
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考题 通常的双极型晶体管BJT在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。
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考题 集成电路芯片的工作速度与（）有关。A、芯片中组成门电路的晶体管数量B、芯片中组成门电路的晶体管尺寸C、芯片尺寸D、芯片封装方式
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考题 固体半导体摄像元件CCD是一种（）A、PN结光电二极管电路B、PNP型晶体管集成电路C、MOS型晶体管开关集成电路D、NPN型晶体管集成电路
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考题 通用型集成运放输入极通常采用（）电路。A、差分放大B、互补推挽C、基本共射极放大D、电流源
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考题 TTL集成门电路是指（）。A、二极管——三极管集成门电路B、晶体管——晶体管集成门电路C、可控硅——三极管集成门电路
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考题 GTR是一种（）晶体管．A、双极型B、单极型C、混合型D、三极型
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考题 按照电路的不同结构，门电路可以分为（）与（）。A、分立元件门电路，TTL门电路B、集成门电路和双极型电路C、分立元件门电路，集成门电路D、TTL门电路，集成门电路
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考题 CMOS集成逻辑门电路内部是以（）为基本元件构成A、二极管B、晶体管C、晶闸管D、场效应晶体管
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考题 双极型晶体管和场效应晶体管的驱动信号（）。A、均为电压控制B、均为电流控制C、双极型晶体管为电压控制，场效应晶体管为电流控制D、双极型晶体管为电流控制，场效应晶体管为电压控制
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考题 单选题关于逻辑门电路下列说法正确的是（　　）。A 双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路B TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路C CMOS集成门电路集成度高，但功耗较高D TTL逻辑门电路和CMOS集成门电路不能混合使用
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考题 单选题集成电路芯片的工作速度与（）有关。A 芯片中组成门电路的晶体管数量B 芯片中组成门电路的晶体管尺寸C 芯片尺寸D 芯片封装方式
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考题 问答题集成和分立的双极型晶体管结构上有何区别？
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