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名词解释题
基区宽度调制效应

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考题 晶体管的内部放大条件是:发射区重掺杂,基区轻掺杂且宽度很窄,集电极面积大等。()
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考题 双极晶体管的1c7r噪声与（）有关。A、基区宽度B、外延层厚度C、表面界面状态
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考题 开关整流器稳压的原理是时间比例控制（TRC）原理，既通过改变开关接通时间和工作周期的比例来调整输出电压。其具体方式有（）A、脉冲宽度调制方式、脉冲幅度调制方式、脉冲频率调制方式B、脉冲宽度调制方式、脉冲幅度调制方式、混合调制方式C、脉冲幅度调制方式、脉冲频率调制方式、混合调制方式D、脉冲宽度调制方式、脉冲频率调制方式、混合调制方式
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考题 SPWM表示的内容是（）。A、振幅调制B、脉冲宽度调制C、脉冲频率调制D、正弦脉冲宽度调制
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考题 PWM表示的内容是（）。A、振幅调制B、脉冲宽度调制C、频率调制D、脉码调制
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考题 PWM是（）A、脉冲宽度调制B、脉冲频率调制C、脉冲幅度调制D、脉冲位置调制
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考题 通过调整脉冲宽度实现稳定输出电压的方法称为（）。A、相位调制法B、频率调制法C、幅值调制法D、脉冲宽度调制法
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考题 当集电结空间电荷限制效应是限制晶体管大电流特性的主要原因时，（）可以提高晶体管最大工作电流。A、增大基区掺杂浓度B、减小基区宽度C、减小发射结面积D、增大集电区杂质浓度
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考题 造成大电流时晶体管电流放大系数下降的因素有____、集电结空间电荷限制的效应、____。（）A、基区电导调制效应，发射区有偏压效应B、基区有偏压效应，发射区电导调制效应C、基区电导调制效应，基区有偏压效应D、发射区有偏压效应，基区有偏压效应
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考题 晶体三极管的输出特性曲线分为四个区，请问哪个区具有基区宽度调制效应（）A、饱和区B、截止区C、放大区D、击穿区
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考题 在脉冲宽度调制（PWM）技术中，脉冲宽度可以通过何种电路来实现调制？
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考题 对于正弦脉冲宽度调制（SPWM），什么是调制信号？什么是载波信号？何谓调制比？
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考题 试比较脉冲宽度调制PWM和脉冲频率调制PFM。
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考题 脉冲的某一参量（幅度、宽度、重复频率）随调制信号瞬时值变化的调制方式，叫做（）。A、脉冲编码调制B、脉冲宽度调制C、脉冲模拟调制D、脉冲振幅调制
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考题 DABS应答信号所采用的数据调制方式为（）。A、BNR码调制B、脉冲位置调制C、脉冲宽度调制D、DPSK调制
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考题 以下不属于脉冲模拟调制的是（）。A、脉冲编码调制B、脉冲宽度调制C、脉冲位置调制D、脉冲振幅调制
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考题 填空题基区穿通是指当集电结反向电压增加到使耗尽区将（）全部占据时，集电极电流急剧增大的现象。防止基区穿通的措施是（）基区宽度、（）基区掺杂浓度。
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考题 问答题利用纵向电光效应和横向电光效应均可实现电光强度调制，纵向电光调制和横向电光调制各有什么优缺点？
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考题 填空题基区渡越时间是指（）。当基区宽度加倍时，基区渡越时间增大到原来的（）倍。
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考题 填空题当集电结反偏增加时，集电结耗尽区宽度会（），使基区宽度（），从而使集电极电流（），这就是基区宽度调变效应（）。
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考题 填空题在设计与制造晶体管时，为提高晶体管的电流放大系数，应当（）基区宽度，（）基区掺杂浓度。
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考题 填空题在异质结双极晶体管中，发射区的禁带宽度（）于基区的禁带宽度，从而使异质结双极晶体管的（）大于同质结双极晶体管的。
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考题 问答题什么是基区宽变效应，基区宽变效应受哪些因素影响？
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考题 多选题时间比率控制（TimE、RA、tioC、ontrol，缩写为TRC、）有以下几种方式（）A脉冲宽度调制B脉冲频率调制C脉冲幅值调制D脉冲宽度、频率混合调制
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考题 填空题晶体管的基区输运系数是指（）电流与（）电流之比。由于少子在渡越基区的过程中会发生（），从而使基区输运系数（）。为了提高基区输运系数，应当使基区宽度（）基区少子扩散长度。
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考题 单选题水深、航道宽度对岸壁效应的影响如下：（）.A 水深越小，岸壁效应越剧烈；航道宽度越大，岸壁效应越明显B 水深越大，岸壁效应越剧烈；航道宽度越大，岸壁效应越明显C 水深越小，岸壁效应越剧烈；航道宽度越小，岸壁效应越明显D 水深越大，岸壁效应越剧烈；航道宽度越小，岸壁效应越明显
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考题 填空题在缓变基区晶体管的基区中会产生一个（），它对少子在基区中的运动起到（）的作用，使少子的基区渡越时间（）。
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