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单选题
若某半导体导带中电子出现几率为零,则此半导体必定()。
A

处于绝对零度

B

不含任何杂质

C

不含任何缺陷

D

不含施主


参考答案

参考解析
解析: 暂无解析
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考题 N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子,P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子,因此说N型半导体带负电,P型半导体带正电。() 此题为判断题(对,错)。

考题 半导体中自由电子与空穴数目相等,这样的半导体叫做()。 A.N型半导体此同时B.P型半导体C.本征半导体D.PN型半导体

考题 在低能量价带上聚集着许多电子,而高能量的导带上几乎没有电子,费米能级位于带隙中间。这种半导体称为()。 A、本征半导体B、P型半导体C、N型半导体D、PN结

考题 电子型半导体又叫P型半导体,空穴型半导体又叫N型半导体。() 此题为判断题(对,错)。

考题 靠空穴导电的半导体叫做电子型半导体,靠电子导电的半导体叫做空穴型半导体。() 此题为判断题(对,错)。

考题 在半导体中,自由电子带()电,空穴带()电。

考题 由于P型半导体中含有大量空穴载流子,N型半导体中含有大量电子载流子,所以P型半导体带正电,N型半导体带负电。() 此题为判断题(对,错)。

考题 若光子能量足够大,则半导体材料中价带的电子吸收光子的能量,从价带越过禁带到达导带。()

考题 N型半导体中多数载流子是电子,因此N型半导体带负电。

考题 N型半导体中的自由电子多于空穴,而P型半导体中的空穴多于自由电 子,是否N型半导体带负电,而P型半导体带正电?

考题 在纯净的半导体硅中掺入硼元素,则构成了电子型半导体

考题 与绝缘体相比较,半导体能带结构的特点是()。A、导带也是空带B、满带与导带重合C、满带中总是有空穴,导带中总是有电子D、禁带宽度较窄

考题 P型半导体中空穴多于电子,说明P型半导体带正电。

考题 本征半导体中,若掺入微量的五价元素,则形成()型半导体,其多数载流子是电子;若掺入微量的三价元素,则形成P型半导体,其多数载流子是()。

考题 本征半导体中,若掺入微量的五价元素,则形成()型半导体,其多数载流子是();若掺入微量的三价元素,则形成()型半导体,其多数载流子是()。

考题 对半导体而言,其正确的说法是()A、P型半导体多数载流子为空穴,所以它带正电B、N型半导体多数载流子为自由电子,所以它带负电C、P型半导体和N型半导体本身都不带电D、在N型半导体中,空穴是多子,自由电子是少子

考题 P型半导体中的空穴数目多于自由电子,则P型半导体呈现的电性为()A、负电B、正电C、电中性

考题 由于P型半导体中含有大量空穴载流子,N型半导体中含有大量电子载流子,所以P型半导体带正电,N型半导体带负电。

考题 半导体中自由电子与空穴数目相等,这样的半导体叫做()。A、N型半导体此同时B、P型半导体C、本征半导体D、PN型半导体

考题 问答题N型半导体中的自由电子多于空穴,而P型半导体中的空穴多于自由电 子,是否N型半导体带负电,而P型半导体带正电?

考题 填空题P型半导体是向本征半导体中参入低价元素形成的。P型半导体中的导电粒子为()。本征半导体的费米能级位于导带与禁带的中间。费米能级的位置随电子浓度的增加而()。

考题 填空题半导体的中,()称为费米能级;对本征半导体,费米能级位于(),表示()。费米能级靠近导带,表示(),是()型半导体;费米能级靠近价带,表示(),是()型半导体。

考题 填空题由施主能级激发到导带中去的电子来导电的半导体,称为()。

考题 单选题半导体()电子吸收光子能量跃迁入(),产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。A 价带,导带B 价带,禁带C 禁带,导带D 导带,价带

考题 单选题与半导体相比较,绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量()A 比半导体的大B 比半导体的小C 与半导体的相等

考题 问答题N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子,P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子,因此说N型半导体带负电,P型半导体带正电。上述说法对吗?为什么?

考题 判断题由于P型半导体中含有大量空穴载流子,N型半导体中含有大量电子载流子,所以P型半导体带正电,N型半导体带负电。A 对B 错