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单选题
下列有关溶出伏安曲线的说法不正确的是（）
A
溶出伏安曲线是溶出过程电流随电压变化的关系曲线
B
溶出伏安曲线是富集过程电流随电压变化的关系曲线
C
峰电位是定性分析的依据
D
峰电流是定量分析的依据
参考答案
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考题
关于药物制剂溶出度检查，下列说法中不正确的是A．溶出度是药物从片剂或胶囊剂等固体制剂在规定的溶剂中溶出的速度和程度B．药物制剂分析时溶出度检查需要和崩解时限检查同时进行C．溶出度检查是一种模拟口服固体制剂在胃肠道中的崩解和溶出的体外实验法D．溶出度的测定，药典采用装篮法和浆法E．片剂溶出度的测定主要用于一些快速溶解的速效药物
考题
下列有关影响溶出速度的因素不正确的是 ( ) A.固体的表面积B.剂型C.温度S
下列有关影响溶出速度的因素不正确的是 （ ）A.固体的表面积B.剂型C.温度D.扩散系数E.扩散层的厚度
考题
下列有关溶出度参数的描述错误的是（）A、溶出参数td表示药物从制剂中累积溶出63.2%所需要的时间B、Ritger-Peppas方程中释放参数n与制剂骨架等形状有关C、Higuchi方程描述的是累积溶出药量与时间的平方根成正比D、单指数模型中七越小表明药物从制剂中溶出的速度越快E、相似因子与变异因子可以定量地评价参比制剂与试验制剂溶出曲线之间的差别
考题
有关药物粒径与比表面积和溶出速度的关系，下列说法正确的是（）A、粒径越小，比表面积越小，药物溶出越快B、粒径越大，比表面积越大，药物溶出越快C、粒径越小，比表面积越大，药物溶出越快D、粒径越小，比表面积越大，药物溶出越慢E、粒径越大，比表面积越小，药物溶出越慢
考题
关于片剂中药物的溶出，下列哪种说法是错误的（）A、亲水性辅料促进药物的溶出B、药物被辅料吸附则阻碍药物溶出C、硬脂酸镁作为片剂润滑剂用量过多则阻碍药物的溶出D、溶剂分散法促进药物的溶出
考题
下列有关溶出伏安曲线的说法不正确的是（）A、溶出伏安曲线是溶出过程电流随电压变化的关系曲线B、溶出伏安曲线是富集过程电流随电压变化的关系曲线C、峰电位是定性分析的依据D、峰电流是定量分析的依据
考题
下列有关溶出液的说法正确的是（）。A、溶出液ak偏高，溶液的稳定性好B、溶出液ak偏高，溶液的稳定性差C、溶出液ak偏低，会使拜耳法生产成本降低D、溶出液ak偏低，会使拜耳法生产成本升高
考题
下列有关溶出伏安法溶出过程的说法中不正确的是（）A、溶出分为全部和部分溶出两种B、若使用悬汞电极，则一定是全部溶出C、溶出方式多采用线性扫描和示差脉冲D、汞膜电极溶出峰形状易改变，重现性较差
考题
单选题下列有关溶出度参数的描述错误的是（）A
溶出参数td表示药物从制剂中累积溶出63.2%所需要的时间B
Ritger-Peppas方程中释放参数n与制剂骨架等形状有关C
Higuchi方程描述的是累积溶出药量与时间的平方根成正比D
单指数模型中七越小表明药物从制剂中溶出的速度越快E
相似因子与变异因子可以定量地评价参比制剂与试验制剂溶出曲线之间的差别
考题
单选题有关药物粒径与比表面积和溶出速度的关系，下列说法正确的是（）A
粒径越小，比表面积越小，药物溶出越快B
粒径越大，比表面积越大，药物溶出越快C
粒径越小，比表面积越大，药物溶出越快D
粒径越小，比表面积越大，药物溶出越慢E
粒径越大，比表面积越小，药物溶出越慢
考题
单选题在非线性元件的伏安特性研究中，下列关于钨丝的说法正确的是（）A
钨丝是线性元件B
钨丝的阻值与温度无关C
钨丝是非线性元件D
钨丝的伏安特性曲线与普通二极管的正向伏安特性曲线类似
考题
单选题关于半导体光伏器件，以下说法正确的是：（）A
光电二极管通常工作在其伏安特性曲线的第一象限；B
光电二极管通常工作在其伏安特性曲线的第四象限C
光电池通常工作在其伏安特性曲线的第一象限；D
光电池通常工作在其伏安特性曲线的第四象限；
考题
单选题下列有关溶出伏安法溶出过程的说法中不正确的是（）A
溶出分为全部和部分溶出两种B
若使用悬汞电极，则一定是全部溶出C
溶出方式多采用线性扫描和示差脉冲D
汞膜电极溶出峰形状易改变，重现性较差
考题
单选题关于溶出伏安法，下列说法中错误的是（）A
溶出伏安法具有较高的灵敏度B
在阴极溶出伏安法中，富集过程是电氧化，溶出过程是电还原C
在富集过程中，电极反应产物常以汞齐或难溶化合物的形式被富集D
当阳极溶出时，工作电极的电位以一定速度由正向负变化
考题
单选题关于片剂中药物的溶出，下列哪种说法是错误的（）A
亲水性辅料促进药物的溶出B
药物被辅料吸附则阻碍药物溶出C
硬脂酸镁作为片剂润滑剂用量过多则阻碍药物的溶出D
溶剂分散法促进药物的溶出
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