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判断题
接触是指硅芯片内的器件与第一层金属层之间在硅表面的连接。
A
对
B
错
参考答案
参考解析
解析：
暂无解析
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考题
硅提纯及制备工艺流程正确的是()。
A、石英砂-西门子法多晶硅-金属硅-直拉单晶硅B、金属硅-石英砂-西门子法多晶硅-直拉单晶硅C、石英砂-金属硅-西门子法多晶硅-直拉单晶硅D、西门子法多晶硅-石英砂-金属硅-直拉单晶硅
考题
跳线指（）A、不带连接器件的电缆线与带连接器件的光纤，用于配线设备之间进行连接B、带连接器件的电缆线与带连接器件的光纤，用于配线设备之间进行连接C、不带连接器件的电缆线与不带连接器件的光纤，用于配线设备之间进行连接D、带连接器件的电缆线与不带连接器件的光纤，用于配线设备之间进行连接
考题
集成电路的主要制造流程是（）A、硅抛光片——晶圆——芯片——集成电路——成品测试B、硅抛光片——芯片——晶圆——成品测试——集成电路C、晶圆——硅抛光片——芯片——成品测试——集成电路D、硅抛光片——芯片——晶圆——集成电路——成品测试
考题
单选题速发型硅沉着病是指从事矽尘作业多长时间出现的硅沉着病（ ）。A
接触矽尘半年后才出现的硅沉着病B
接触矽尘5年以后出现的硅沉着病C
接触矽尘5年以后出现的硅沉着病D
脱离矽尘作业1～2年后才发现的硅沉着病E
以上都不是
考题
单选题集成电路的主要制造流程是（）A
硅抛光片——晶圆——芯片——集成电路——成品测试B
硅抛光片——芯片——晶圆——成品测试——集成电路C
晶圆——硅抛光片——芯片——成品测试——集成电路D
硅抛光片——芯片——晶圆——集成电路——成品测试
考题
单选题对于硅胶而言，其表面的硅羟基是进行化学修饰的基础，硅胶表面的硅羟基的主要存在形式是（）A
硅三羟基；B
硅二羟基；C
邻位硅羟基；D
单硅羟基；
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