考题
稳压二极管是利用PN结的()特性进行稳压的。
A、正向导通B、反向截止C、反向击穿D、电容效应
考题
若PN结两侧的杂质浓度高,则形成的PN结反向漏电流大,反向击穿电压高。()
考题
稳压管的稳压性能是利用（ ）实现的。A.PN结的单向导电性
B.PN结的反向击穿特性
C.PN结的正向导通特性
D.PN工艺特性
考题
半导体稳压管的稳压功能是利用PN结的反向击穿特性特性来实现的。
考题
硅稳压管的稳压性质是利用下列什么特性实现的（）。A、PN结的反向击穿特性B、PN结的单向导电特性C、PN结的正向导通特性D、PN结的反向截止特性
考题
稳压管是利用PN结的（）特性来实现稳压的。A、正向电压B、反向击穿电压C、最大整流电流
考题
半导体稳压性质是利用下列什么特性实现的（）。A、PN结的单向导电性B、PN结的反向击穿特性C、PN结的正向导通特性D、PN结的反向截止特性
考题
硅稳压管正常工作时，是工作在PN结的（）。A、正向导通区B、死区C、反向截止区D、反向击穿区
考题
稳压管的稳压作用利用了PN结（）击穿的原理。A、正向B、导通C、截止D、反向
考题
稳压管是利用（）特性来实现稳压功能的。A、PN结的单向导电B、PN结的反向击穿C、PN结的正向导通D、结电容使波形平滑
考题
如果PN结的反向电流急剧增加，称为（）A、反向导通B、反向截止C、反向击穿D、反向饱和
考题
PN结方程可以描述PN结的正向特性和反向特性，也可以描述PN结的反向击穿特性。
考题
稳压二极管是利用PN结的（）。A、单向导电性B、反向击穿性C、电容特性
考题
稳压管的稳压性能是利用PN结的（）。A、单向导电特性B、反向截止特性C、反向击穿特性
考题
硅稳压二极管工作在反向击穿状态，切断外加电压后，PN结仍处于反向击穿。（）
考题
PN结击穿后，它的反向电流将（）A、急剧减小B、减小C、几乎不变D、急剧增大
考题
PN结反向电压的数值增加，小于击穿电压时，（）。A、其反向电流增大B、其反向电流减小C、其反向电流基本不变
考题
PN结的伏安特性方程可以描述其正向特性和反向特性，也可以描述其击穿特性。
考题
PN结反向击穿电压的数值增大，小于击穿电压，（）。A、其反向电流增大B、其反向电流减小C、其反向电流基本不变
考题
构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。
考题
半导体稳压管的稳压作用是利用（）A、PN结单向导电性实现的B、PN结的反向击穿特性实现的C、PN结的正向导通特性实现的D、PN结的反向截止特性实现的
考题
PN结反向电压的数值增大，但小于击穿电压时，（）。A、其反向电流增加B、其正向电流增加C、其反向电流基本不变D、其反向电流减小
考题
用万用表R×100Ω档测量一只晶体管各极之间正、反向电阻，如果都呈现很小的阻值，则这只晶体管（）。A、PN结被击穿B、PN结开路C、只有发射极击穿D、只有集电极击穿
考题
稳压二极管是利用PN结反向击穿的特性，运用特殊的工艺方法制成的。
考题
二极管两端的反向电压一旦超过其最高反向电压，二极管的PN结立即击穿。
考题
问答题什么是PN结的击穿现象，击穿有哪两种。击穿是否意味着PN结坏了？为什么？