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直熔法制备多晶硅需要()坩埚


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考题 栓剂的制备方法有A.热熔法B.冷压法C.搓捏法D.熔和法E.研和法

考题 硅提纯及制备工艺流程正确的是()。 A、石英砂-西门子法多晶硅-金属硅-直拉单晶硅B、金属硅-石英砂-西门子法多晶硅-直拉单晶硅C、石英砂-金属硅-西门子法多晶硅-直拉单晶硅D、西门子法多晶硅-石英砂-金属硅-直拉单晶硅

考题 下列属于多晶硅制备的方法有()A、硅烷法B、流化床法C、改良西门子法D、浮游带熔融法

考题 制备玻璃纤维发展方向是()。A、间熔法B、直熔法C、拉丝法

考题 目前,合成红宝石的方法有:().A、水热法B、焰熔法和助熔剂法C、冷坩埚法D、导模法和提拉法E、气相沉淀法

考题 合成尖晶石中可见弧形生长纹的属()法合成。A、水热B、焰熔C、助熔剂D、冷坩埚

考题 熔炼制备K12镍基耐热合金时,所使用的坩埚是()。A、酸性坩埚B、碱性坩埚C、中性坩埚

考题 栓剂的制备只能采用热熔法。

考题 悬浮区熔的优点不包括()A、不需要坩埚B、避免了容器污染C、更易获得高纯度硅D、成本低

考题 膜剂制备可采用匀浆法、热熔法和复合制膜法。

考题 目前多晶硅原料的制备方法主要有三氯氢硅法(改良西门子法)和()两种方法。

考题 铸造技术为何能提高多晶硅纯度;制备铸造多晶硅的工艺流程;描述直培法工艺;影响直培法制备柱形多晶硅的因素。

考题 丹药的制备方法:()A、升法与降法B、熔和法C、涂膜法D、热熔法E、热压法

考题 膜剂的制备方法()A、升法与降法B、熔和法C、涂膜法D、热熔法E、热压法

考题 (1).()可采用搓捏法、冷压法、热熔法制备

考题 由于刚玉的熔点很高,焰熔法合成红宝石是采用:()。A、石英坩埚B、铂坩埚C、无坩埚

考题 合成红色星光宝石是用()合成的。A、焰熔法B、水热法C、晶体提拉法D、冷坩埚法

考题 YAG、GGG是在()下形成的。A、焰熔法B、水热法C、晶体提拉法D、冷坩埚法

考题 合成水晶主要采用()制成。A、焰熔法B、水热法C、晶体提拉法D、冷坩埚法

考题 单选题下列铸造多晶硅的制备方法中,()没有坩埚的消耗,降低了成本,同时又可减少杂质污染长度。A 布里曼法B 热交换法C 电磁铸锭法D 浇铸法

考题 单选题制备玻璃纤维发展方向是()。A 间熔法B 直熔法C 拉丝法

考题 问答题简述熔体制备单晶的方法,坩埚法和直拉法的过程细节。

考题 单选题铸造多晶硅中的氧主要来源不包括()A 头尾料和锅底料中含有的氧B 晶体生长过程中硅熔体与石英坩埚作用引入的氧C 石墨加热器与坩埚反应引入的氧D 外界空气的进入

考题 问答题按制备时有无使用坩埚分为两类,有坩埚分为?无坩埚分为?

考题 多选题下列属于多晶硅制备的方法有()A硅烷法B流化床法C改良西门子法D浮游带熔融法

考题 单选题膜剂的制备方法()A 升法与降法B 熔和法C 涂膜法D 热熔法E 热压法

考题 单选题丹药的制备方法:()A 升法与降法B 熔和法C 涂膜法D 热熔法E 热压法

考题 单选题悬浮区熔法检验多晶硅中基磷含量时,采用快速区熔法的工艺时,第一次区熔时,第一区熔区停留挥发时间()左右。A 3minB 5minC 7minD 10min