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当一个Si材料PN结外加反向电压时，它的耗尽层变宽，势垒增强。因此，其扩散电流为（）

A．0mA

B．无穷大

C．毫安数量级

D．微安数量级

参考答案和解析
A
更多 “当一个Si材料PN结外加反向电压时，它的耗尽层变宽，势垒增强。因此，其扩散电流为（）A．0mAB．无穷大C．毫安数量级D．微安数量级” 相关考题
考题 在PN结上施加电压时,多数()中一部分可以越过势垒而进入导电,若PN结加反向电压,则电路中几不流过电流,当电流高到某一数值时,电流就突然增大,称这种现象为(),这可以用电子的()及齐纳效应来说明。
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考题 PN结外加正向电压时，扩散电流()漂移电流。A、大于B、小于C、等于D、无法确定
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考题 当PN结外加正向电压时，耗尽层()A、变宽B、变窄C、宽度不变
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考题 PN结加上反向电压时,其PN结的宽度(或空间电荷区)会()。 A、变窄B、变宽C、不变
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考题 当PN结加正向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层()。当PN结加反向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层() A.大于B.变窄C.等于D.小于E.变宽F.不变
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考题 给PN结加反向电压（反偏）时，耗尽层将（）A、变窄B、变宽C、不变
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考题 当PN结加正向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）。当PN结加反向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）A、大于B、变窄C、等于D、小于E、变宽F、不变
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考题 当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）。A、大于，变宽B、小于，变窄C、大于，变窄D、小于，变宽
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考题 给PN结加正向电压（正偏）时，耗尽层将（）A、变窄B、变宽C、不变
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考题 外加反向电压，PN结中的耗尽层宽度将变宽。
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考题 PN结在外加反方向电压的作用下，耗尽层（），流过PN结的电流（）。
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考题 PN结未加外部电压时，扩散电流（）漂流电流，加正向电压时，扩散电流（）漂流电流，其耗尽层（）；加反向电压时，扩散电流（）漂流电流，其耗尽层（）。
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考题 二极管的最主要特性是（）。PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）。
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考题 当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层变窄，当PN结外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变宽。A、大于B、小于C、等于D、变宽
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考题 当PN结外加反向电压时，扩散电流（）漂移电流。A、大于B、小于C、等于
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考题 PN结加反向电压，耗尽层将变厚。
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考题 当PN结外加正向电压时，PN结内多子（）形成较大的正向电流。
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考题 当PN结反向工作时，其结电容主要是（）A、势垒电容B、扩散电容C、平面电容D、势垒和扩散电容并存
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考题 当PN结外加正向电压时，耗尽层的宽度将（）
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考题 当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）。当外加反向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）。
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考题 当PN结外加正向电压时，（）占优，耗尽层变窄。A、中和电流B、扩散电流C、漂移电流D、正弦电流
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考题 判断题pn结反向偏置时，外加电压在势垒区产生的电场和自建电场的方向是一致的，加强了势垒区的电场。导致势垒降低，势垒区宽度变小。A 对B 错
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考题 填空题PN结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（），内建电场的最大值就越（），内建电势Vbi就越（），反向饱和电流I0就越（），势垒电容CT就越（），雪崩击穿电压就越（）。
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考题 填空题当对PN结外加反向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。
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考题 填空题势垒电容反映的是PN结的（）电荷随外加电压的变化率。PN结的掺杂浓度越高，则势垒电容就越（）；外加反向电压越高，则势垒电容就越（）。
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考题 填空题当对PN结外加正向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。
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考题 判断题外加反向电压，PN结中的耗尽层宽度将变宽。A 对B 错
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考题 单选题pn结正向偏置时，外加电场削弱势垒区内自建电场，因而势垒区内扩散占优势使p区和n区有少子注入，形成正向（）A 复合电流B 漂移电流C 扩散电流D 漏电流
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