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外光电效应（光电倍增管）是入射光能量大，能将光敏材料的的内部电子全部激发出来。典型器件APD雪崩光电二极管

参考答案和解析
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更多 “外光电效应（光电倍增管）是入射光能量大，能将光敏材料的的内部电子全部激发出来。典型器件APD雪崩光电二极管” 相关考题
考题 光电二极管PIN和雪崩光电二极管APD在光通信中作为光检测器件对光进行检测。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 把光信号变换成电信号的器件称之为光电检测器件光纤通信中使用的半导体光电检测器有() A.光二极管(LED)和PIN光电二极管B.半导体激光二极管(LD)和雪崩光电二极管(APD)C.PIN光电二极管和雪崩光电二极管(APD)D.发光二极管(LED)和半导体激光二极管(LD)
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考题 雪崩光电二极管,写做APD管。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 试比较PN结光电二极管、PIN光电二极管以及APD雪崩光电二极管的优缺点。
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考题 半导体光电检测器有()。A.PIN光电二极管 B.APD雪崩光电二极管 C.LED D.LD
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考题 不但具有光/电转换作用，而且具有内部放大作用的半导体光电检测器是（）。A、PIN光电二极管B、APD雪崩光电二极管
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考题 工作在短波长区的雪崩光电二极管是（）。A、SI-APDB、Ge-APDC、InGaAs-APD
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考题 雪崩光电二极管（APD）利用（）使光电流得到倍增。A、灵敏度效应B、温度效应C、响应度效应D、雪崩效应
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考题 光电检测器的种类有PN结光电二极管和（）三种。A、发光二极管、PIN光电二极管B、APD雪崩光电二极管、双基极二极管C、PIN光电二极管、APD雪崩光电二极管D、双基极二极管、混频二极管
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考题 雪崩光电二极管（APD）具有（）A、内部放大作用B、内部衰减作用C、内部平衡作用D、内部纠错作用
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考题 光发射机中的重要器件，目前主要采用（）或（）。A、半导体激光器（LD）B、半导体发光二极管（LED）C、光电二极管（PIN）D、雪崩光电二极管（APD）
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考题 常用的光电检测器有光电二极管（PIN）和雪崩光电二极管（APD）两种。
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考题 光接收器件主要有发光二极管（LED）和雪崩光电二极管（APD）。
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考题 外光电效应器件主要有光电真空（充气）管，光电倍增管等。
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考题 采用雪崩光电二极管（APD）的要求是有较高的偏置电压和复杂的温度补偿电路。
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考题 基于外光电效应的光电元件有（）。A、光敏晶体管B、光电管C、光敏电阻D、光电倍增管
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考题 下列光电器件中基于外光电效应工作的有（）。A、光电管B、光电倍增管C、光敏电阻D、光电池
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考题 基于外光电效应的器件有光电管和光电倍增管；基于内光电效应的器件有（）等。
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考题 在光线作用下电子逸出物体表面向外发射称外光电效应；入射光强改变物质导电率的现象称光电导效应；半导体材料吸收光能后在PN结上产生电动式的效应称（）。
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考题 在光线作用下电子逸出物体表面向外发射称外光电效应；相应的器件如光电管、光电倍增管入射光改变材料内部电阻率的现象称（）；相应的器件如光敏电阻半导体材料吸收光能后在PN结上产生电动式的效应称（）。相应的器件如光电池、光电仪表。
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考题 填空题基于外光电效应的器件有光电管和光电倍增管；基于内光电效应的器件有（）等。
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考题 多选题属于外光电效应的器件有（）A光敏二极管B光电管C光电倍增管D光敏电阻
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考题 单选题雪崩光电二极管（APD）具有（）A 内部放大作用B 内部衰减作用C 内部平衡作用D 内部纠错作用
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考题 单选题雪崩光电二极管（APD）利用（）使光电流得到倍增。A 灵敏度效应B 温度效应C 响应度效应D 雪崩效应
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考题 多选题光发射机中的重要器件，目前主要采用（）或（）。A半导体激光器（LD）B半导体发光二极管（LED）C光电二极管（PIN）D雪崩光电二极管（APD）
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考题 多选题属于内光电效应的器件有（）A光敏二极管B光电管C光电倍增管D光敏电阻
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考题 多选题下列器件运用外光电效应的是（）A光电倍增管B光电池C像增强管D光敏电阻
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考题 单选题光敏电阻是（）器件，属于（）A 光电导器件，外光电效应B 光电发射器件，外光电效应C 光生伏特器件，内光电效应D 光电导器件，内光电效应
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