考题
热电偶式温度检测器的工作原理是利用金属或半导体材料的电阻值随温度变化而变化的性质来检测温度的。()
此题为判断题(对，错)。
考题
电阻应变片是基于导体、半导体材料在外力作用下发生机械形变导致其电阻值发生变化的原理。()
此题为判断题(对，错)。
考题
电阻应变片利用导体、半导体材料在外力作用下发生机械形变,导致其电阻值发生变化的原理。()
此题为判断题(对，错)。
考题
热电阻是利用导体或半导体的电阻随温度变化而变化的特性来测量温度的一种感温元件。()
此题为判断题(对，错)。
考题
半导体式应变片在外力作用下引起其电阻变化的因素主要是( )。
A. 截面积B. 电阻率C. 长度D. 高通
考题
电阻式温度计是利用导体或半导体的()的物理特性而制成的。
A、热电效应B、电阻率随温度变化C、固体物质导热D、热平衡效应
考题
电阻式温度计是利用导体或半导体的()的物理特性制成的。
A.热电效应B.电阻率随温度变化C.固体物质导热D.热平衡效应
考题
半导体的电阻率随温度变化很显著。此题为判断题(对，错)。
考题
电子体温计通过流过感温头的电流来反映人的体温，感温头用半导体制成，其利用了半导体（）A、良好的导电特性B、良好的绝缘特性C、电阻随温度变化而变化的特性D、电阻随光照变化而变化的特性
考题
半导体应变片主要是利用半导体材料的（）A、形变B、电阻率的变化C、弹性模量的变化D、泊松比的变化
考题
金属电阻应变片与半导体应变片的物理基础的区别在于：前者利用金属的（）引起的电阻变化，后者利用半导体材料的电阻率变化引起的电阻变化。
考题
热电阻温度计是根据导体或半导体的电阻随温度变化而改变的原理制成的。
考题
半导体的电阻率随着温度的上升而（）。A、上升B、下降C、不变D、变化很大
考题
当温度升高时，半导体的电阻率随温度升高而迅速减小，而金属的电阻率却会增大。
考题
金属导体或半导体在外力作用下产生机械变形而引起导体或半导体的电阻值发生变化的物理现象称为（）。
考题
半导体式应变片在外力作用下引起其电阻变化的因素主要是（）。
考题
金属导体或半导体在外力作用下产生机械变形而引起导体或半导体的电阻值发生变化的物理现象称为（）A、光电效应B、压电效应C、压阻效应D、应变效应
考题
金属导体和半导体有个显著差别在于金属的电阻率随（）而（），而半导体的电阻率随（）而（）（少数除外）。
考题
半导体材料的电阻率随作用应力而变化的效应称为（）。A、压电效应B、霍尔效应C、热电效应D、压阻效应
考题
半导体式应变片在外力作用下引起其电阻变化的因素主要是（）。A、长度B、截面积C、电阻率D、高通
考题
当半导体材料在某一方向承受应力时，它的（）发生显著变化的现象称为半导体（）。用这个原理制成的电阻称固态（）。
考题
水温传感器为半导体热敏电阻时，其电阻值会随（）的变化而变化。
考题
热电阻是利用导体或半导体的电阻随温度变化而变化的特性来测量温度的一种感温元件。
考题
单选题若一种材料的电阻率随温度升高先下降后升高，则该材料是（）。A
本征半导体B
金属C
化合物半导体D
掺杂半导体
考题
填空题压阻效应是指单晶半导体材料在沿某一轴向受到外力作用时，其（）发生变化。
考题
填空题金属电阻应变片与半导体应变片的物理基础的区别在于：前者利用金属的（）引起的电阻变化，后者利用半导体材料的电阻率变化引起的电阻变化。