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1、需要定期刷新的存储器是______。

参考答案和解析
DRAM
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考题 有一个16K×16位的存储器,由1K×4位的DRAM芯片构成(芯片是64×64结构)。问:(1)共需要多少RAM芯片?(2)采用异步刷新方式,如单元刷新间隔不超过2ms,则刷新信号周期是多少(3)如采用集中刷新方式,存储器刷新一遍最少用多少读／写周期?死时间率是多少?
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考题 以下存储器中，需要周期性刷新的是（）。A.DRAMB.SRAMC.FLASHD.EEPROM
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考题 动态存储器件(DRAM)与静态存储器件(SRAM)相比，其特点是(4)。A．容量大B．速度快C．需要定期刷新D．价格低
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考题 动态存储器件(DRAM)与静态存储器件(SRAM)相比，不属于其特点是(23)。A．价格低B．速度快C．容量大D．需要定期刷新
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考题 需要进行刷新的存储器是( )。A．SRAMB．DRAMC．ROMD．EPROM
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考题 需要进行刷新处理存储器的是( )A.ROMB.EPROMC.DRAMD.SRAM
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考题 以下存储器中，需要周期性刷新的是（ ）。 A.DRAM B.SRAM C.FLASH D.EEPROM
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考题 需要刷新的存储器是()。A.SRAM B.DRAM C.ROM D.上述三种
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考题 动态存储器的特点是（）A、工作中存储内容会产生变化B、工作中需要动态改变访存地址C、工作中需要动态地改变供电电压D、需要定期刷新每个存储单元中存储的信息
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考题 半导体动态随机存储器需要每隔（）对其刷新一次。A、1msB、2sC、2μsD、1ms～2ms
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考题 需要定期刷新的存储器类型为（）A、静态存储器B、动态存储器C、只读存储器D、易失性存储器
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考题 以下存储器中，只有（）是以电容来存储信息，需要定期进行刷新。A、PROMB、EPROMC、DRAMD、SRAM
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考题 需要刷新的存储器是_____。A、EPROM；B、EEPROM；C、静态RAM；D、动态RAM。
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考题 需要定期刷新的存储芯片是（）。A、EPROMB、DRAMC、SRAMD、EEPROM
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考题 静态MOS存储器与动态MOS存储器存储信息的原理有何不同？为什么动态MOS存储器需要刷新？一般有哪几种刷新方式？
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考题 以下几种存储器中，需要定期刷新的是：（）A、静态RAMB、动态RAMC、EPROMD、FLASH
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考题 需要定时刷新的存储器是（）A、SRAMB、DRAMC、EPROM
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考题 因为电荷泄漏，需定期进行动态刷新的存储器是（）。A、静态RAMB、动态RAMC、EPROMD、FLASH
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考题 半导体随机存储器需要配置刷新电路，以便按时刷新。
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考题 在工作过程中需要不断刷新的存储器是（）A、SRAMB、DRAMC、PROMD、NVRAM
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考题 有一个64K×16位的存储器，由16K×1位的DRAM芯片（芯片内是128×128结构）构成，存储器读/写周期为500ns，试问： 1）需要多少片DRAM芯片？ 2）采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？ 3）如果采用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少时间？
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考题 静态存储器需要刷新，否则信息丢失。
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考题 问答题请判断下面的叙述中，哪些是正确的？ （1）半导体ROM是一种非易失性存储器。 （2）半导体存储器是非永久性存储器，断电时不能保存信息。 （3）同SRAM相比，由于DRAM需要刷新，所以功耗大。 （4）由于DRAM靠电容存储电荷，所以需要定期刷新。 （5）双极型RAM不仅存取速度快，而且集成度高。 （6）目前常用的EPROM是用浮动栅雪崩注入型MOS管构成，称为FAMOS型EPROM，该类型的EPROM出厂时存储的全是“1”。
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考题 单选题需要定期刷新的存储器类型为（）A 静态存储器B 动态存储器C 只读存储器D 易失性存储器
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考题 判断题半导体随机存储器需要配置刷新电路，以便按时刷新。A 对B 错
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考题 问答题有一个64K×16位的存储器，由16K×1位的DRAM芯片（芯片内是128×128结构）构成，存储器读/写周期为500ns，试问： 1）需要多少片DRAM芯片？ 2）采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？ 3）如果采用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少时间？
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考题 问答题静态MOS存储器与动态MOS存储器存储信息的原理有何不同？为什么动态MOS存储器需要刷新？一般有哪几种刷新方式？
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考题 判断题静态存储器需要刷新，否则信息丢失。A 对B 错
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