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普通小功率锗二极管的正向导通压降约为0.1~0.3V


参考答案和解析
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考题 硅二极管的正向导通压降和锗二极管的一样大。() 此题为判断题(对,错)。

考题 二极管的电压—电流关系可简单理解为()导通,()截止的特性。导通后,硅管管压降约为(),锗管管压降约为()。

考题 晶体管工作在放大状态时,发射结正偏,对于硅管约为()V,锗管约为0.3V。A.0.7 B.0.5 C.0.3 D.0.1

考题 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的()。A、大B、小C、相等D、无法判定

考题 在常温常压下,硅二极管的正向导通压降约为()。A、0.1~0.3VB、0.4~0.5VC、0.6~0.8VD、0.9~1.0V

考题 在常温常压下,锗二极管的正向导通压降约为()。A、0.1~0.3VB、0.4~0.5VC、0.6~0.8VD、0.9~1.0V

考题 二极管正向导通时,压降很小,硅管0.2-0.3V,锗管0.5-0.7V。

考题 二极管处于正向导通时,其正向压降变化不大,硅管约为(),锗管约为()

考题 锗二极管的正向压降通常为()。A、0.3v左右B、0.5v左右C、0.6v左右D、0.7v左右

考题 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大。()

考题 硅二极管的正向导通压降约为()A、0.7VB、0.5VC、0.3VD、0.2V

考题 常温下,硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V;锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V。

考题 二极管正向导通时的正向电压值称为管压降,一般小功率硅管的管压降可为()V。A、0.6B、0.7C、0.8D、1.0

考题 硅管的导通压降约为()V,锗管的导通压降约为()V。

考题 晶体二极管导通时的正向压降:硅管约为()V,锗管约为()V。通常硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。

考题 硅管的正向导通压降大于锗管。

考题 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的()

考题 二极管当正向电压超过UVD后,二极管开始导通。正常导通时,二极管的正向管压降很小,硅管约为(),锗管约为()。

考题 在常温下,硅二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为();锗二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为()。

考题 普通硅二极管的正向导通压降范围大约为()V,在工程估算中一般取()V;锗二极管的正向导通压降范围大约为()V,在工程估算中一般取()V。发光二极管的正向导通压降范围大约为()V。

考题 锗二极管的正向电阻很大,正向导通电压约为0.2V。()

考题 锗二极管工作在导通区时正向压降大约是(),死区电压是()。

考题 常温下,硅二极管的正向导通压降为()。A、0.3V;B、0.7V;C、1V

考题 锗二极管的正向导通电压为()。A、0.3V左右B、0.6V左右C、0.8V左右D、0.7V左右

考题 单选题锗二极管的压降比硅二极管的要小,理论上锗二极管是0.3V,硅二极管是()。A 0.4VB 0.5VC 0.6VD 0.7V

考题 单选题在下列关于锗二极管“死区电压/在额定电流范围内的正向管压降”数据中,合适的是()。A 0.1~0.2V/0.3VB 0.2~0.3V/0.7VC 0.3~0.5V/0.7VD 0.5V/0.7V

考题 填空题常温下,硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V;锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V。

考题 判断题二极管正向导通时,压降很小,硅管0.2-0.3V,锗管0.5-0.7V。A 对B 错