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结型场效应管为增强型场效应管。

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考题 vGS=0时,不能工作在放大区的场效应管是( )。 A.结型管B耗尽型MOS管C增强型MOS管
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考题 在场效应管放大电路中,测得各极电位分别为UD=6V,US=3V,UG=1V,则该场效应管为()MOS管。 A、N沟道耗尽型B、P沟道耗尽型C、P沟道增强型D、N沟道增强型
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考题 ()场效应管能采取自偏压电路。A、增强型和结型B、耗尽型和结型C、都不能D、增强型和耗尽型
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考题 MOS场效应管有增强型与耗尽型。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 CMOS反相器是由一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组成的。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 结型场效应管的类型有()。 A.N沟道结型场效应管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.P沟道增强型MOS管E.N沟道耗尽型MOS管F.P沟道耗尽型MOS管
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考题 场效应管分压式偏置电路适合于()场效应管组成的放大电路。 A.增强型B.耗尽型C.增强型和耗尽型D.以上均不对
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考题 增强型场效应管,工作时需要在栅源之间加正向电压() 此题为判断题(对，错)。
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考题 下列关于场效应管的说法中，错误的是： A、场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOSFET）B、场效应管工作于放大状态时，结型场效应管的栅极与源极之间的PN结是正向偏置C、一般来说，场效应管的输入电阻都比较高，结型高达107Ω，绝缘型高达109ΩD、场效应管具有输入电阻高、温度稳定性好、噪声小等优点E、一般来说，场效应管的放大能力大都比较弱
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考题 结型场效应管可分为（）。A、MOS管和MNS管B、N沟道和P沟道C、增强型和耗尽型D、NPN型和PNP型
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考题 结型场效应管与绝缘栅型场效应管在使用和保管时注意事项相同。
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考题 高压复合结型场效应管
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考题 结型场效应管的类型有（）。A、N沟道结型场效应管B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
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考题 场效应管的类型有（）。A、结型场效应管B、绝缘栅型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
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考题 UGS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有（）。A、N沟道结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、P沟道结型管
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考题 （）具有不同的低频小信号电路模型。A、NPN型管和PNP型管B、增强型场效应管和耗尽型场效应管C、N沟道场效应管和P沟道场效应管D、晶体管和场效应管
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考题 MOS场效应管按栅极开路时有无导电沟道分为增强型和（）两种类型。
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考题 场效应管按结构分为结型和（）。A、绝缘栅型B、耗尽型C、增强型
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考题 场效应管按性能分为耗尽型和（）。A、绝缘栅型B、耗尽型C、增强型
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考题 场效应管除了结型场效应管外，还有（）型场效应管；A、绝缘型；B、IGBT型；C、稳压型；
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考题 增强型场效应管中，用Vt表示（）电压。
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考题 UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有（）。A、结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管
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考题 UGS=0时，能够工作在恒流区的场效应管有：（）。A、JFETB、增强型MOSFETC、耗尽型MOSFET
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考题 结型场效应管的栅、源极之间应加（）电压。
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考题 静电感应场效应管SIT是一种结型场效应管，属于（）
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考题 根据结构的不同，场效应管可分为结型场效应管和绝缘栅场效应管。
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考题 名词解释题高压复合结型场效应管
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考题 单选题结型场效应管可分为（）。A MOS管和MNS管B N沟道和P沟道C 增强型和耗尽型D NPN型和PNP型
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