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简要叙述PN结空间电荷区的形成过程。
参考答案和解析
当p型半导体和n型半导体结合形成pn结时，由于两者之间存在载流子浓度梯度，从而导致了空穴从p区到n区、电子从n区到p区的扩散运动。对于p区，空穴离开后留下了不可动的带负电荷的电离受主，因此在p区一侧出现了一个负电荷区；同理对于n区，电子离开后留下了不可动的带正电荷的电离施主，因此在n区一侧出现了一个正电荷区。这样带负电荷的电离受主和带正电荷的电离施主形成了一个空间电荷区，并产生了从n区指向p区的内建电场。 在内建电场作用下，载流子的漂移运动和扩散运动方向相反，内建电场阻碍载流子的扩散运动。随内建电场增强，载流子的扩散和漂移达到动态平衡。此时就形成了一定宽度的空间电荷区，并在空间电荷区两端产生了电势差，即pn结接触电势差。
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考题
以下有关晶闸管正确的叙述是()。
A、晶闸管属于3个区2个PN结的三端器件B、晶闸管属于3个区3个PN结的三端器件C、晶闸管属于4个区3个PN结的三端器件D、晶闸管属于4个区2个PN结的三端器件
考题
PN结加反向电压（数值小于击穿电压）时：（）。A、空间电荷区变宽，漂移运动大于扩散运动B、空间电荷区变窄，漂移运动大于扩散运动C、空间电荷区变窄，扩散运动大于漂移运动D、空间电荷区变宽，扩散运动大于漂移运动
考题
关于PN结的单向导电原理中，以下哪个描述正确（）A、空间电荷区有利于扩散运动，不利于漂移运动B、空间电荷区有利于漂移运动，不利于扩散运动C、当PN结两侧加正向电压时，空间电荷区变厚D、当PN结两侧加反向电压时，空间电荷区变薄
考题
单选题关于PN结的单向导电原理中，以下哪个描述正确（）A
空间电荷区有利于扩散运动，不利于漂移运动B
空间电荷区有利于漂移运动，不利于扩散运动C
当PN结两侧加正向电压时，空间电荷区变厚D
当PN结两侧加反向电压时，空间电荷区变薄
考题
单选题将PN结加适当的反向电压，则空间电荷区将（）。A
变窄B
变宽C
不变D
消失
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